[实用新型]一种阵列基板及显示装置有效
申请号: | 201320165909.3 | 申请日: | 2013-04-03 |
公开(公告)号: | CN203260582U | 公开(公告)日: | 2013-10-30 |
发明(设计)人: | 郭仁炜;董学;马磊 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100176 北京市大*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,包括:薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括栅电极、源电极和漏电极、以及有源层;其特征在于,还包括设置于所述栅电极上方或下方的金属导电区;
其中,所述栅电极、所述源电极和所述漏电极的材质为透明导电材料。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述金属导电区设置于所述栅电极上方,且所述金属导电区与所述有源层对应;其中所述阵列基板为底栅型阵列基板;或者
所述金属导电区设置于所述栅电极下方,且所述金属导电区与所述有源层对应;其中所述阵列基板为顶栅型阵列基板。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述金属导电区与所述有源层的面积相等。
4.根据权利要求1至3任一项所述的阵列基板,其特征在于,还包括像素电极;且所述像素电极和所述栅电极位于同层,或者所述像素电极和所述源电极、所述漏电极位于同层。
5.根据权利要求1至3任一项所述的阵列基板,其特征在于,还包括:公共电极。
6.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1至6任一项所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的