[实用新型]一种LED倒装芯片有效

专利信息
申请号: 201320162171.5 申请日: 2013-04-03
公开(公告)号: CN203250780U 公开(公告)日: 2013-10-23
发明(设计)人: 王冬雷;莫庆伟 申请(专利权)人: 大连德豪光电科技有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/62
代理公司: 广东秉德律师事务所 44291 代理人: 杨焕军
地址: 116100 辽宁省大*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 一种 led 倒装 芯片
【权利要求书】:

1.一种LED倒装芯片,包括蓝宝石衬底、该蓝宝石衬底上自下而上依次设有N型层、发光层、P型层、反射层、第一绝缘层;该第一绝缘层上设有N引线电极与P引线电极,该N引线电极沿深度自该P型层延伸至N型层的孔与该N型层导电连接,该P引线电极与该反射层导电连接;以及,与该N引线电极导电连接的N焊盘层,与该P引线电极导电连接的P焊盘层,其特征在于:所述N引线电极与该P引线电极上设有第二绝缘层,该第二绝缘层上设有通孔,所述N焊盘层与该P焊盘层透过该通孔分别与该N引线电极、该P引线电极相接触。 

2.根据权利要求1所述的一种LED倒装芯片,其特征在于: 

所述第二绝缘层沿该LED倒装芯片的侧面延伸至该蓝宝石衬底,与该蓝宝石衬底的表面贴合; 

或者,所述第一绝缘层沿该LED倒装芯片的侧面延伸至该蓝宝石衬底,与该蓝宝石衬底的表面贴合;该第二绝缘层沿该N引线电极与该P引线电极的侧面延伸至该第一绝缘层,与该第一绝缘层的表面贴合, 

或者,所述位于N引线电极侧的第二绝缘层沿该LED倒装芯片的侧面延伸至该N型层,与该N型层的表面贴合,位于P引线电极侧的第二绝缘层沿该LED倒装芯片的侧面延伸至该P型层,与该P型层的表面贴合。 

3.根据权利要求1所述的一种LED倒装芯片,其特征在于:所述第二绝缘层上的通孔沿该第二绝缘层的四周均匀分布。 

4.根据权利要求1所述的一种LED倒装芯片,其特征在于:所述N焊盘层与该P焊盘层之间设有具备反射性能的绝缘块。 

5.根据权利要求1或4所述的一种LED倒装芯片,其特征在于:所 述N焊盘层与P焊盘层间的距离大于250um。 

6.根据权利要求1所述的一种LED倒装芯片,其特征在于:所述LED倒装芯片的长、宽之比大于2.5:1。 

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