[实用新型]二象限光电二极管有效
申请号: | 201320153256.7 | 申请日: | 2013-03-29 |
公开(公告)号: | CN203250738U | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 但伟;王波;向勇军;凌茂真;孙诗;王昊璇;张臻凌;郭林红;周红;钟奇志 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;H01L31/105 |
代理公司: | 云南派特律师事务所 53110 | 代理人: | 龚笋根 |
地址: | 400060 *** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 象限 光电二极管 | ||
技术领域
本实用新型涉及电子元器件技术领域,尤其涉及一种将光信号转变为电信号的二象限光电二极管。
背景技术
二象限光电二极管是在一个芯片上集成两个光敏单元,在反向偏置条件下工作。当光照时,每个光敏元分别吸收光,在耗尽层或离耗尽层一个扩散长度内产生电子-空穴对,最后被电场分开。当载流子漂移通过耗尽层时,在外部电路中形成光电流,从而实现光电转换。目前,国内外关于二象限光电二极管的产品报道较少,现有的少数相关产品,在击穿电压、响应速度和响应度等主要技术参数方面均存在不足,不能很好的满足使用需求。
实用新型内容
本实用新型的目的在于,提出一种二象限光电二极管,其可以广泛应用于光电转换领域,具有较快的响应速度和响应度。
为实现上述目的,本实用新型提供了一种二象限光电二极管,其包括:管座、与管座固定安装的芯片及二极管引线,所述芯片上设有两个PIN光电探测器;该每一PIN光电探测器均包括一本征硅衬底层、设于本征硅衬底层正面的光敏区,及设于本征硅衬底层背面的欧姆接触层;所述光敏区正面及欧姆接触层背面均设有金属电极,二极管引线分别与其对应的金属电极电性连接。
本实用新型中,所述光敏区正面设有一层增透膜。
具体的,所述光敏区正面设置的金属电极为铝电极,欧姆接触层背面设置的金属电极为铬金电极。
进一步地,所述本征硅衬底层正面沿光敏区及增透膜外侧还设有一绝缘体层。
再者,所述绝缘体层正面还设有一层保护膜。
本实用新型中,所述管座包括一底盘,及通过焊料片安装于底盘上侧的陶瓷片;所述芯片通过一导电胶层与该陶瓷片相连接,芯片通过该陶瓷片安装于管座上。
其中,所述二极管引线一端与底盘相固定,另一端沿底盘垂直延伸设置;该二极管引线包括有两个P极引线,该两P极引线一端与底盘之间通过绝缘子固定安装。
具体的,所述每一PIN光电探测器正面上均设有一欧姆接触点,该两P极引线均通过一压焊金丝对应与一欧姆接触点相连接。
本实用新型中,所述二极管引线还包括一接壳引线,该接壳引线一端固定于底盘底部的中间位置处。
选择性的,所述两P极引线均为平头式引线,接壳引线可以为一端打头的引线。
本实用新型的二象限光电二极管,其可以广泛适用于光纤通信、测距、传感以及从可见光至近红外领域的光脉冲检测和工业控制领域,尤其适用于激光陀螺的光电接收转换,其不仅结构简单、制造难度较低,因此成本较低有利于工业化推广;同时,其具有较为优良的技术参数,响应速度和响应度均较高。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型二象限光电二极管一种具体实施例的装配结构示意图;
图2为图1的俯视图;
图3本实用新型中芯片与PIN光电探测器的位置关系示意图;
图4本实用新型中PIN光电探测器一种具体实施例的纵向结构示意图;
图5本实用新型中管座一种具体实施例的装配结构示意图;
图6为图5的俯视图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的