[实用新型]一种干刻蚀装置的下部电极及干刻蚀装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及干刻蚀技术领域，特别涉及一种干刻蚀装置的下部电极及干刻蚀装置。

背景技术

干刻蚀工艺是把基板上无光刻胶掩蔽的金属膜或非金属膜刻蚀掉，使有光刻胶掩蔽的区域保存下来，从而在基板上形成所需要的图形。

对基板进行干刻蚀是在干刻蚀装置中完成的，而干刻蚀装置的下部电极是进行干刻蚀的关键部件，如图1所示，干刻蚀装置的下部电极包括：电极底板1，阵列状分布在电极底板1上的多个凸起2；其中，凸起2的形状为立方体或半球形。在进行干刻蚀时，将待刻蚀的基板放置在下部电极上，多个凸起2支撑待刻蚀的基板。但在对非金属膜如二氧化硅（以下简称为SiO₂）、硅的氮化物（以下简称SiN_x）、多晶硅（polycrystalline silicon，以下简称p-Si）、非晶硅（amorphous silicon，以下简称a-Si）等非金属膜刻蚀时，这些材料对刻蚀速率、均一性和坡度角等有较高的要求，导致干刻蚀效果较差，影响基板刻蚀的合格率。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种干刻蚀装置的下部电极，用于提高基板刻蚀的合格率。

为了实现上述目的，本实用新型提供以下技术方案：

一种干刻蚀装置的下部电极，包括：电极基底和设置于所述电极基底上的陶瓷层；其中，

所述陶瓷层具有供冷却气体通过的多个吹气孔，以及设置于所述陶瓷层周边且凸出所述陶瓷层上表面的凸台。

优选地，所述凸台相对于所述陶瓷层上表面的高度为30～60um。

优选地，所述凸台为陶瓷凸台。

较佳地，所述凸台与所述陶瓷层为一体化结构。

优选地，所述陶瓷层上表面的粗糙度为0.2～0.6。

较佳地，所述吹气孔为圆形孔。

优选地，所述电极基底为铝电极基底。

进一步地，上述干刻蚀装置的下部电极还包括：设置于所述陶瓷层中的静电吸附层，且所述静电吸附层位于所述电极基底上方。

本实用新型同时还提供了一种干刻蚀装置，包括：具有上述特征的干刻蚀装置的下部电极。

在本实用新型中，干刻蚀装置的下部电极包括：电极基底和设置于电极基底上的陶瓷层；其中，陶瓷层具有供冷却气体通过的多个吹气孔，以及设置于陶瓷层周边且凸出所述陶瓷层上表面的凸台。如此设置，在对基板进行刻蚀时，特别是对镀有如SiO₂、SiN_x、p-Si或a-Si等材料膜的基板，可以提高刻蚀的均一性，从而提高基板刻蚀的合格率。

附图说明

图1为现有技术中一种干刻蚀装置的下部电极的结构示意图；

图2为本实用新型实施例一提供的干刻蚀装置的下部电极的结构示意图；

图3为图2中A-A向剖视图。

附图标记：

1-电极底板，2-凸起，5-电极基底，6-陶瓷层，

7-凸台，8-静电吸附层，9-吹气孔。

具体实施方式

为了提高基板刻蚀的合格率，本实用新型提供了一种干刻蚀装置的下部电极，包括：电极基底和设置于电极基底上的陶瓷层；其中，陶瓷层具有供冷却气体通过的多个吹气孔，以及设置于陶瓷层周边且凸出所述陶瓷层上表面的凸台。使得在对基板进行刻蚀时，特别是对镀有如SiO₂、SiN_x、p-Si或a-Si等材料膜的基板，可以提高刻蚀的均一性，从而提高基板刻蚀的合格率。

为了使本领域技术人员更好的理解本实用新型的技术方案，下面结合说明书附图对本实用新型实施例进行详细的描述。

如图2、图3所示，本实用新型实施例提供的干刻蚀装置的下部电极，包括：电极基底5和设置于电极基底5上的陶瓷层6；其中，陶瓷层6具有供冷却气体通过的多个吹气孔9，以及设置于陶瓷层6周边且凸出陶瓷层6上表面的凸台7。