[实用新型]一种超导磁体装置及磁共振成像设备有效

专利信息
申请号: 201320145540.X 申请日: 2013-03-16
公开(公告)号: CN203118700U 公开(公告)日: 2013-08-07
发明(设计)人: 李玉花 申请(专利权)人: 李玉花
主分类号: H01F6/04 分类号: H01F6/04;G01R33/3815
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 25500*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 超导 磁体 装置 磁共振 成像 设备
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种医疗器具,尤其是一种超导磁体装置及磁共振成像设备。

背景技术

磁共振成像是一种使用磁场及射频脉冲进行的特殊检查,具有安全、准确、无创伤、对人体无害的优点。磁共振成像设备需要使用一个主磁体来产生强大的静态磁场。

现阶段主磁体分为三类:普通电磁体、永磁体和超导磁体。普通电磁体是利用较强的直流电流通过线圈产生磁场,耗电量大,一般需要通电数小时后磁场强度才能达到稳定状态。永磁体经一次充磁后,可长期保持磁性,但磁场强度较低。超导磁体是目前应用比较多的一种主磁体,在超导状态下,电流流过导体时没有电阻损耗,从而不会使导体升温。

同样直径的导线在超导状态下可以通过更大电流而不损坏。用超导材料制成的线圈通以强大电流可产生强大磁场,而且在外加电流切断后,超导线圈中的电流仍保持不变,因而超导磁场极为稳定。

使用超导磁体时,需要将超导线圈放入低温环境中以使其保持超导状态。一旦超导线圈的温度高于临界温度,便会产生“失超”现象,使得线圈温度急剧升高,磁场衰弱严重,设备无法正常使用。

发明内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种超导磁体装置及磁共振成像设备,能够解决现有技术的不足,通过使用高温超导铋系带材料制作超导线圈,并设置两层冷却剂进行保温,最大限度的保证了超导线圈处于临界温度以下,避免“失超”现象的发生。

为解决上述技术问题,本实用新型所采取的技术方案如下。

一种超导磁体装置,结构中包括超导线圈和低温容器,低温容器内充有第一冷却剂,超导线圈设置在第一冷却剂内,在所述低温容器外侧设置有真空空腔,在真空空腔外侧设置有保温腔,保温腔内充有第二冷却剂;所述超导线圈采用高温超导铋系带材料制成,所述第一冷却剂的温度低于第二冷却剂的温度,第二冷却剂的温度低于所述超导线圈的临界温度。

作为优选,所述第一冷却剂采用液氦,所述第二冷却剂采用液氮。

作为优选,所述真空空腔内设置有热辐射屏蔽件。

此外,本使用新型还提供一种磁共振成像设备,包括如上所述的超导磁体装置。

采用上述技术方案所带来的有益效果在于:

本实用新型中的超导线圈采用高温超导铋系带材料制成,其临界温度高于液氮的温度。将超导线圈放置于液氦中,可进一步降低其温度,保证其一直处于超导状态。在低温容器外设置真空空腔,在真空空腔内设置热辐射屏蔽件,可减少低温容器与外界的热量交换,保持低温容器的温度。真空空腔外设置的保温腔内充有液氮,使得真空空腔内外两侧的温度都低于超导线圈的临界温度,保证了在真空空腔隔热作用降低时,也不会由于外界热量传入低温容器,导致超导线圈产生“失超”现象。

附图说明

图1是本实用新型一个具体实施方式的示意图;

图中:1、超导线圈;2、低温容器;3、第一冷却剂;4、真空空腔;5、保温腔;6、第二冷却剂;7、热辐射屏蔽件。

具体实施方式

参照图1,本实用新型的结构中包括超导线圈1和低温容器2,低温容器2内充有第一冷却剂3,超导线圈1设置在第一冷却剂3内,在所述低温容器2外侧设置有真空空腔4,在真空空腔4外侧设置有保温腔5,保温腔5内充有第二冷却剂6;所述超导线圈1采用高温超导铋系带材料制成,所述第一冷却剂3的温度低于第二冷却剂6的温度,第二冷却剂6的温度低于所述超导线圈1的临界温度。

值得注意的是,所述第一冷却剂3采用液氦,所述第二冷却剂6采用液氮。

值得注意的是,所述真空空腔4内设置有热辐射屏蔽件7。

此外,本实用新型还提供了一种磁共振成像设备,包括如上所述的超导磁体装置。

本实用新型的工作原理是:

本实用新型中的超导线圈1采用高温超导铋系带材料制成,其临界温度高于液氮的温度。将超导线圈1放置于液氦中,可进一步降低其温度,保证其一直处于超导状态。在低温容器2外设置真空空腔4,在真空空腔4内设置热辐射屏蔽件7,可减少低温容器2与外界的热量交换,保持低温容器2的温度。

真空空腔4外设置的保温腔5内充有液氮,使得真空空腔4内外两侧的温度都低于超导线圈1的临界温度,保证了在真空空腔4隔热作用降低时,也不会由于外界热量传入低温容器2,导致超导线圈1产生“失超”现象。

以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解,本实用新型不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理,在不脱离本实用新型精神和范围的前提下,本实用新型还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

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