[实用新型]一种增强型N沟道绝缘栅场效应管

说明书

技术领域

本实用新型涉及电子元器件领域，特别是涉及一种增强型N沟道绝缘栅场效应管。 

背景技术

绝缘栅场效应管的种类较多，有PMOS、NMOS和VMOS功率管等，但目前应用最多的是MOS管。MOS绝缘栅场效应管也即金属一氧化物一半导体场效应管，通常用MOS表示，简称作MOS管。它具有比结型场效应管更高的输入阻抗，并且制造工艺比较简单，使用灵活方便，非常有利于高度集成化。 

发明内容

本实用新型主要解决的技术问题是提供一种增强型N沟道绝缘栅场效应管，制造工艺比较简单，使用灵活方便，有利于高度集成化。 

为解决上述技术问题，本实用新型采用的一个技术方案是：提供一种增强型N沟道绝缘栅场效应管，包括：P型硅衬底、多个N型区、二氧化硅绝缘层、源极、栅极和漏极，所述P型硅衬底的上部扩散有两个N型区，所述两个N型区的表面上加工有二氧化硅绝缘层，所述二氧化硅绝缘层和两个N型区的表面上分别引出源极、栅极和漏极。 

在本实用新型一个较佳实施例中，所述二氧化硅绝缘层上表面盖有一层金属铝。 

在本实用新型一个较佳实施例中，所述P型硅衬底焊接在电路板表面。 

在本实用新型一个较佳实施例中，所述N型区为导电沟道。 

本实用新型的有益效果是：本实用新型一种增强型N沟道绝缘栅场效应管，制造工艺比较简单，使用灵活方便，有利于高度集成化。 

附图说明

图1是本实用新型一种增强型N沟道绝缘栅场效应管一较佳实施例的结构示意图； 

附图中各部件的标记如下：1、源极，2、栅极，3、漏极，4、二氧化硅绝缘层，5、N型区，6、P型硅衬底，7、电路板。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的较佳实施例进行详细阐述，以使本实用新型的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本实用新型的保护范围做出更为清楚明确的界定。 

请参阅图1，一种增强型N沟道绝缘栅场效应管，包括：P型硅衬底6、多个N型区5、二氧化硅绝缘层4、源极1、栅极2和漏极3，所述P型硅衬底6的上部扩散有两个N型区5，所述两个N型区5的表面上加工有二氧化硅绝缘层4，所述二氧化硅绝缘层4和两个N型区5的表面上分别引出源极1、栅极2和漏极3。 

另外，所述二氧化硅绝缘层4上表面盖有一层金属铝，如果在金属铝层和半导体之间加电压，则金属铝与半导体之间产生一个垂直于半导体表面的电场。 

另外，所述P型硅衬底6焊接在电路板7表面，固定安装在电子设备的内部。 

另外，所述N型区5为导电沟道，能把原来被PN结高阻层隔开的源区和漏区连接起来。 

区别于现有技术，本实用新型一种增强型N沟道绝缘栅场效应管，制造工艺比较简单，使用灵活方便，有利于高度集成化。 

以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。