[实用新型]振动元件、振子、电子器件、电子设备以及移动体

说明书

技术领域

本实用新型涉及激励出厚度剪切振动的振动元件、振子、电子器件、电子设备以及移动体。

背景技术

激励出作为主振动的厚度剪切振动的AT切石英振子适于小型化、高频化，并且频率温度特性呈现出优异的三次曲线，因此在振荡器、电子设备等多个方面得到利用。尤其是，近年来，随着传输通信设备和OA设备的处理速度的高速化、或者通信数据和处理量的大容量化得到发展，对于其使用的作为基准频率信号源的AT切石英振子，强烈要求实现高频化。对于以厚度剪切振动进行激励的AT切石英振子的高频化，一般通过减薄振动部分的厚度来实现高频化。

但是，在振动部分的厚度伴随高频化而变薄时，频率的调整灵敏度提高，因此存在频率追踪精度变差、振子的制造成品率降低的问题。对此，在专利文献1中公开了如下情况：在温度补偿型振荡器的振动元件中，大致均等地切除长方形的激励电极的四个角，其面积与切除前的面积比为95%～98%，减小振子的电容比γ（=C0/C1，此处，C0是等效并联电容，C1是等效串联电容），从而能够增大频率可变灵敏度，增大振荡频率的调整的余量度。

此外，在专利文献1的[0024]段中记载了“在面积比小于95%时，缺少实际对振动有贡献的振动部分的激励电极部，等效串联电容C1变小，从而不能得到减小电容比γ的效果。”。

专利文献1：日本特开2002-111435号公报

但是，如上述专利文献1所公开那样，即使切除激励电极的四个角，将面积比设为95%～98%而减小了电容比γ，虽然对于温度补偿型振荡器的电气特性而言是足够的，但在压控型振荡器使用的振子中，存在无法得到可补偿劣化的频率调整精度的频率可变灵敏度的问题。

因此，例如在高频（200MHz以上）时，需要实现能够增大压控型振荡器的频率可变范围的振子。

实用新型内容

因此，本实用新型的课题在于提供电容比γ比引用文献1所记载的振子小的振动元件。

本实用新型正是为了解决上述课题中的至少一部分而完成的，可作为以下方式或应用例来实现。

[应用例1]本应用例的振动元件包含基板，该基板以厚度剪切振动进行振动，并包含处于正反关系的第1主面和第2主面，其特征在于，该振动元件包含：第1激励电极，其设置在所述第1主面上，包含与假想的四边形内切的边或圆周；以及第2激励电极，其设置在所述第2主面上，在设所述四边形的面积为S1、所述第1激励电极的面积为S2时，满足如下关系：

87.7％≤(S2/S1)＜95.0％。

根据本应用例，在以基波的厚度剪切振动进行激励的高频的振动元件中，具有振动元件的电容比γ变小的效果。

[应用例2]在上述应用例所述的振动元件中，其特征在于，所述基板是石英基板。

根据本应用例，石英基板的Q值较高，具有能够得到温度特性优异的振动元件的效果。

[应用例3]在上述应用例所述的振动元件中，其特征在于，所述石英基板是AT切石英基板。

根据本应用例，基板使用了温度特性优异的具有切断角度的AT切石英基板，由此具有如下效果：能够灵活运用与光刻技术、蚀刻技术相关的实际成果和经验，能够批量生产特性偏差小的振动元件。

[应用例4]本应用例的振子的特征在于，具有：上述应用例所述的振动元件；以及收纳所述振动元件的封装。

根据本应用例，通过将振动元件收纳到封装中，能够得到可靠性高的振子。例如，能够防止温度变化、湿度变化等外部干扰的影响和污染的影响，因此具有能够得到频率再现性、频率温度特性、CI温度特性和频率老化特性优异的振子的效果。

[应用例5]本应用例的电子器件的特征在于，具有：上述应用例所述的振动元件；以及驱动所述振动元件的振荡电路。

根据本应用例，在使用以基波进行激励的高频的振动元件来构成电子器件时，具备如下效果：振动元件的电容比γ小，因此能够得到频率可变幅度大、且S/N比良好的高频的压控型振荡器。

此外，作为电子器件，可以构成振荡器、温度补偿型振荡器等，具有能够构成频率再现性、老化特性、频率温度特性优异的振荡器的效果。

[应用例6]本应用例的电子设备的特征在于，该电子设备具有上述应用例所述的振动元件。

根据本应用例，通过将上述应用例所述的振动元件用于电子设备，具有如下效果：能够构成具有频率稳定性优异、S/N比良好的高频的基准频率源的电子设备。

[应用例7]本应用例的移动体的特征在于，该移动体具有上述应用例所述的振动元件。

根据本应用例，能够得到可靠性高的移动体。

附图说明