[实用新型]用于对具有漏极和源极的驱动晶体管的栅极进行放电的电路以及用于驱动器的电路有效

专利信息
申请号: 201320136710.8 申请日: 2013-03-18
公开(公告)号: CN203251283U 公开(公告)日: 2013-10-23
发明(设计)人: 王飞;白文利 申请(专利权)人: 意法半导体研发(上海)有限公司
主分类号: H03K19/094 分类号: H03K19/094
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华;张宁
地址: 200241 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 用于 具有 驱动 晶体管 栅极 进行 放电 电路 以及 驱动器
【权利要求书】:

1.一种用于对具有漏极和源极的驱动晶体管的栅极进行放电的电路,其特征在于包括:

感测电路,被配置用于感测所述驱动晶体管的漏极-源极电压;

第一电流吸收路径,被配置用于耦合到所述驱动晶体管的栅极,所述第一电流吸收路径被配置用于当所述感测电流感测到所述驱动晶体管的较低漏极-源极电压时向所述驱动晶体管的栅极施加高放电电流;以及

第二电流吸收路径,被配置用于耦合到所述驱动晶体管的栅极,所述第二电流吸收路径被配置用于当所述感测电路感测到所述驱动晶体管的较高漏极-源极电压时向所述驱动晶体管的栅极施加低放电电流。

2.根据权利要求1所述的电路,其特征在于所述第一电流吸收路径是第一电流镜的一部分,所述第一电流镜被配置用于响应于所述感测电路感测到所述驱动晶体管的所述较低漏极-源极电压而缩放用于施加到所述驱动晶体管的栅极的第一电流。

3.根据权利要求1所述的电路,其特征在于所述第二电流吸收路径是第二电流镜的一部分,所述第二电流镜被配置用于响应于所述感测电路感测到所述驱动晶体管的所述较低漏极-源极电压而缩放用于施加到所述驱动晶体管的栅极的第二电流。

4.根据权利要求1所述的电路,其特征在于所述第二电流吸收路径被进一步配置用于与第一电流吸收路径向所述驱动晶体管的栅极施加所述高放电电流同时地向所述驱动晶体管的栅极施加所述低放电电流。

5.根据权利要求1所述的电路,其特征在于所述感测电路包括:

二极管,具有阳极和被配置用于耦合到所述驱动晶体管的漏极的阴极,以及

第一电流镜电路,具有耦合到所述二极管的阳极的输入和被配置用于生成控制所述第一电流吸收路径向所述驱动晶体管的栅极施加高放电电流的控制电流的输出。

6.根据权利要求5所述的电路,其特征在于还包括:第二电流镜电路,具有耦合到所述第一电流镜电路的共同节点的输出和响应于指示所述驱动晶体管的截止的控制信号而致动的输入。

7.根据权利要求6所述的电路,其特征在于还包括:第三电流镜电路,包括所述第一电流吸收路径并且具有耦合到所述第一电流镜电路的输出的输入。

8.根据权利要求7所述的电路,其特征在于还包括:第四电流镜电路,包括所述第二电流吸收路径并且具有耦合到所述第二电流镜电路的输入。

9.根据权利要求5所述的电路,其特征在于还包括:第二电流镜电路,具有耦合到所述第一电流镜电路的共同节点的第一输出、被配置用于控制由所述第二电流吸收路径向所述驱动晶体管的栅极施加所述低放电电流的第二输出、以及响应于指示所述驱动晶体管的截止的控制信号而致动的输入。

10.根据权利要求9所述的电路,其特征在于还包括:第三电流镜电路,包括所述第一电流吸收路径并且具有耦合到所述第一电流镜电路的输出的输入。

11.根据权利要求10所述的电路,其特征在于还包括:第四电流镜电路,包括所述第二电流吸收路径并且具有耦合到所述第二电流镜电路的第二输出的输入。

12.根据权利要求1所述的电路,其特征在于所述电路被实现为集成电路器件。

13.根据权利要求12所述的电路,其特征在于所述集成电路器件包括所述驱动晶体管。

14.根据权利要求1所述的电路,其特征在于所述感测电路包括:

感测节点;

第一电路路径,连接在所述驱动晶体管的源极和所述感测节点之间,并且呈现包括跨所述驱动晶体管的漏极-源极电压降的第一电压降;以及

第二电路路径,连接在所述驱动晶体管的源极和所述感测节点之间,并且呈现不包括跨所述驱动晶体管的漏极-源极电压降的第二电压降;

其中如果所述第一电压降小于所述第二电压降,则激活所述第一电流吸收路径,并且其中如果所述第二电压降小于所述第一电压降,则激活所述第二电流吸收路径。

15.根据权利要求1所述的电路,其特征在于所述感测电路包括:

感测节点;以及

电路路径,连接在所述感测节点与所述驱动晶体管的源极之间,并且呈现包括跨所述驱动晶体管的漏极-源极电压降的电压降;

其中如果所述电压降小于阈值,则激活所述第一电流吸收路径。

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