[实用新型]SDRAM的数据存取电路及SDRAM的数据存取系统有效
申请号: | 201320131618.2 | 申请日: | 2013-03-21 |
公开(公告)号: | CN203117967U | 公开(公告)日: | 2013-08-07 |
发明(设计)人: | 张锦华;张启明 | 申请(专利权)人: | 珠海市杰理科技有限公司 |
主分类号: | G06F13/14 | 分类号: | G06F13/14;G11C11/413 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 王茹;胡杰 |
地址: | 519015 广东省珠海*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | sdram 数据 存取 电路 系统 | ||
1.一种SDRAM的数据存取电路,包括:控制电路和控制信号接口,所述控制电路与所述控制信号接口连接,并通过所述控制信号接口与SDRAM的控制接口连接;
其特征在于,还包括数据地址接口,所述控制电路与所述数据地址接口连接,并通过所述数据地址接口同时与SDRAM的地址接口和数据接口连接。
2.如权利要求1所述的SDRAM的数据存取电路,其特征在于,所述控制电路先通过所述数据地址接口发送地址信号,通过所述控制信号接口发送读/写命令,然后通过所述数据地址接口输出数据信号或者接收数据信号。
3.如权利要求1或者2所述的SDRAM的数据存取电路,其特征在于,进一步包括掩码信号产生电路和掩码信号接口,所述掩码信号产生电路连接所述掩码信号接口,并且通过所述掩码信号接口与SDRAM的掩码接口连接。
4.如权利要求3所述的SDRAM的数据存取电路,其特征在于,所述掩码信号接口包括低掩码引脚和高掩码引脚,分别连接所述SDRAM的低掩码引脚和高掩码引脚。
5.一种SDRAM的数据存取系统,包括:SDRAM和所述SDRAM的数据存取电路;所述数据存取电路包括控制电路和控制信号接口,所述控制电路与所述控制信号接口连接;所述SDRAM包括控制接口,地址接口和数据接口;所述数据存取电路的控制信号接口与所述SDRAM的控制接口连接;
其特征在于,所述数据存取电路还包括数据地址接口,所述控制电路与所述数据地址接口连接,所述数据地址接口同时连接所述SDRAM的地址接口和数据接口。
6.如权利要求5所述的SDRAM的数据存取系统,其特征在于,所述控制电路先通过所述数据地址接口发送地址信号至所述SDRAM,通过所述控制信号接口发送读/写命令至所述SDRAM,然后通过所述数据地址接口输出数据信号至所述SDRAM或者接收所述SDRAM输出的数据信号。
7.如权利要求5所述的SDRAM的数据存取系统,其特征在于,所述数据存取电路包括p个所述数据地址接口,所述SDRAM包括n个所述数据接口和m个所述地址接口;其中,p、m、n为自然数,p=max(n,m);
p个所述数据接口的n个接口分别一一对应地连接其中的n个所述数据地址接口,并且,m个所述地址接口分别一一对应地连接其中的m个所述数据地址接口。
8.如权利要求5至7任意一项所述的SDRAM的数据存取系统,其特征在于,所述数据存取电路进一步包括掩码信号产生电路和掩码信号接口,所述SDRAM进一步包括掩码接口,所述掩码信号产生电路连接所述掩码信号接口,所述掩码信号接口与所述SDRAM的掩码接口连接。
9.如权利要求8所述的SDRAM的数据存取系统,其特征在于,所述掩码信号接口包括低掩码引脚和高掩码引脚,分别连接所述SDRAM的低掩码引脚和高掩码引脚。
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