[实用新型]一种高功率因数的LED线性恒流驱动控制器及LED驱动装置

权利要求书

1.一种高功率因数的LED线性恒流驱动控制器，其特征在于，所述具有高功率因数的LED线性恒流驱动控制器包括： 

输入端连接LED驱动装置中整流电路的输出端，采样所述整流电路输出的电压并输出采样结果信号和采样电压的电压采样电路； 

输入端连接所述电压采样电路的第一输出端、电源端连接所述整流电路的输出端、输出端连接作为负载的发光二极管单元的正输入端，根据所述采样结果信号对所述整流电路输出的电压的大小进行调节后输出给所述发光二极管单元的正输入端的电压调节电路； 

输入端连接所述电压采样电路的第二输出端，对所述采样电压做平方或等效处理后输出的功率因数修正电路； 

第一输入端连接所述发光二极管单元的负输入端，第二输入端连接所述功率因数修正电路的输出端，根据所述功率因数修正电路输出的电压对所述发光二极管单元进行恒流控制的恒流控制电路。 

2.如权利要求1所述的高功率因数的LED线性恒流驱动控制器，其特征在于，所述电压调节电路包括电压选择电路，还包括升压电路和/或降压电路； 

所述电压选择电路的输入端作为所述电压调节电路的输入端连接所述电压采样电路的第一输出端，所述电压选择电路的电源端作为所述电压调节电路的电源端连接所述整流电路的输出端，所述电压选择电路的输出端作为所述电压调节电路的输出端连接所述发光二极管单元的正输入端，所述电压选择电路的控制端连接所述升压电路和/或降压电路。 

3.如权利要求2所述的高功率因数的LED线性恒流驱动控制器，其特征在于，所述电压采样电路包括：电阻R0、电阻R1、电阻R2、电阻R3、比较器U1和比较器U2； 

所述电阻R3、所述电阻R2、所述电阻R1和所述电阻R0依次串联在所述整流电路的输出端和地之间；所述电阻R3与所述电阻R2连接的一端同时连接 所述比较器U1的同相端，所述比较器U1的反相端连接第一基准电压；所述电阻R2与所述电阻R1连接的一端同时连接所述比较器U2的同相端，所述比较器U2的反相端连接第二基准电压；所述电阻R1与所述电阻R0连接的一端同时连接所述功率因数修正电路的输入端；所述比较器U1的输出端和所述比较器U2的输出端共同连接所述电压选择电路的输入端。 

4.如权利要求2所述的高功率因数的LED线性恒流驱动控制器，其特征在于，所述电压选择电路包括：N沟道的MOS管Q1、N沟道的MOS管Q2、N沟道的MOS管Q3、N沟道的MOS管Q4、N沟道的MOS管Q5、与门U3、反相器U4、或非门U5和或非门U6； 

所述N沟道的MOS管Q4的漏极、所述N沟道的MOS管Q3的漏极和所述N沟道的MOS管Q1的漏极连接，并共同连接所述整流电路的输出端；所述N沟道的MOS管Q5的源极、所述N沟道的MOS管Q3的源极和所述N沟道的MOS管Q2的源极连接，并共同连接所述发光二极管单元的正输入端；所述N沟道的MOS管Q4的栅极连接所述N沟道的MOS管Q5的栅极，并共同连接所述与门U3的输出端；所述N沟道的MOS管Q1的栅极连接所述N沟道的MOS管Q2的栅极，并共同连接所述或非门U6的输出端；所述N沟道的MOS管Q3的栅极连接所述或非门U5的输出端；所述与门U3的一个输入端连接所述或非门U5的一个输入端和所述或非门U6的一个输入端，并共同连接所述电压采样电路的输出端；所述与门U3的另一个输入端连接所述反相器U4的输入端和所述或非门U6的另一个输入端，并共同连接所述电压采样电路的输出端；所述反相器U4的输出端连接所述或非门U5的另一个输入端；所述N沟道的MOS管Q4的源极和所述N沟道的MOS管Q5的漏极连接所述降压电路，所述N沟道的MOS管Q1的源极和所述N沟道的MOS管Q2的漏极连接所述升压电路。 

5.如权利要求1所述的高功率因数的LED线性恒流驱动控制器，其特征在于，所述恒流控制电路包括：误差放大器U7、N沟道的MOS管Q6和电阻 R4； 

所述误差放大器U7的同相端连接所述功率因数修正电路的输出端，所述误差放大器U7的反相端通过所述电阻R4接地，所述误差放大器U7的输出端连接所述N沟道的MOS管Q6的栅极；所述N沟道的MOS管Q6的漏极连接所述发光二极管单元的负输入端；所述N沟道的MOS管Q6的源极连接所述误差放大器U7的反相端。