[实用新型]一种音频功率放大器

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种放大器，尤其涉及一种音频功率放大器。

背景技术

音频功率放大器是一种常用的功率放大器，其电路结构形式众多，衡量音频功率放大器的性能指标主要有保真度、可靠性、稳定性、电损耗、效率和性价比等。采用电压负反馈方式的音频功率放大器是一种较为常见的音频功率放大器，但也存在一些不足，例如容易产生瞬态互调失真等。在现有的音频功率放大器中，纯甲类音频功率放大器的音质是最好的，但是纯甲类音频功率放大器的耗电大、成本高。而甲乙类音频功率放大器是介于甲类与乙类音频功率放大器之间，有一些静态电流，音质较好，会有交越失真，其使用最为广泛。还有超甲类音频功率放大器，其电路结构复杂，工作效率不高，效果并不理想。

实用新型内容

本实用新型的目的就在于为了解决上述问题而提供一种可靠性高、安全性高、工作效率高的音频功率放大器。

为了达到上述目的，本实用新型采用了以下技术方案：

一种音频功率放大器，包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管，第一信号输入端分别与所述第二MOS管的源极、所述第三MOS管的源极、所述第五MOS管的源极、所述第七MOS管源极和第十MOS管的漏极连接，第二信号输入端与所述第二MOS管的栅极连接，第三信号输入端与所述第三MOS管的栅极连接，第四信号输入端分别与所述第一MOS管的源极、所述第四MOS管的源极、所述第九MOS管的源极、所述第四MOS管的源极、所述第六MOS管的源极、所述第九MOS管的源极和所述第十一MOS管的漏极连接，所述第一MOS管的栅极分别与所述第一MOS管的漏极、所述第六MOS管的栅极和所述第二MOS管的漏极连接，所述第四MOS管的栅极分别与所述第四MOS管的漏极、所述第三MOS管的漏极、所述第九MOS管的栅极、所述第九MOS管的漏极、所述第八MOS管的源极和所述第十一MOS管的栅极连接，所述第六MOS管的漏极分别与所述第五MOS管的漏极、所述第五MOS管的栅极和所述第七MOS管的栅极连接，所述第七MOS管的漏极分别与所述第八MOS管的栅极、所述第八MOS管的漏极和所述第十MOS管的栅极连接,所述第十MOS管的源极和所述第十一MOS管的源极连接后再与信号输出端连接。

本实用新型的有益效果在于：

本实用新型一种音频功率放大器的可靠性高、安全性高、工作效率高。

附图说明

图1是本实用新型一种音频功率放大器的电路结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步说明：

如图1所示，本实用新型一种音频功率放大器，包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5、第六MOS管M6、第七MOS管M7、第八MOS管M8、第九MOS管M9、第十MOS管M10、第十一MOS管M11，第一信号输入端分别与第二MOS管M2的源极、第三MOS管M3的源极、第五MOS管M5的源极、第七MOS管M7源极和第十MOS管M10的漏极连接，第二信号输入端与第二MOS管M2的栅极连接，第三信号输入端与第三MOS管M3的栅极连接，第四信号输入端分别与第一MOS管M1的源极、第四MOS管M4的源极、第九MOS管M9的源极、第四MOS管M4的源极、第六MOS管M6的源极、第九MOS管M9的源极和第十一MOS管M11的漏极连接，第一MOS管M1的栅极分别与第一MOS管M1的漏极、第六MOS管M6的栅极和第二MOS管M2的漏极连接，第四MOS管M4的栅极分别与第四MOS管M4的漏极、第三MOS管M3的漏极、第九MOS管M9的栅极、第九MOS管M9的漏极、第八MOS管M8的源极和第十一MOS管M11的栅极连接，第六MOS管M6的漏极分别与第五MOS管M5的漏极、第五MOS管M5的栅极和第七MOS管M7的栅极连接，第七MOS管M7的漏极分别与第八MOS管M8栅极、第八MOS管M8的漏极和第十MOS管M10的栅极连接,第十MOS管M10的源极和第十一MOS管M11的源极连接后再与信号输出端连接。