[实用新型]多管快速合成磷化铟多晶磷泡装置有效

专利信息
申请号: 201320118672.3 申请日: 2013-03-15
公开(公告)号: CN203112962U 公开(公告)日: 2013-08-07
发明(设计)人: 骆新江 申请(专利权)人: 杭州电子科技大学
主分类号: C30B28/04 分类号: C30B28/04;C30B29/40
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 杜军
地址: 310018 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 快速 合成 磷化 多晶 装置
【说明书】:

技术领域          

本实用新型属于半导体材料制备领域,涉及一种多管快速合成磷化铟多晶磷泡装置。

背景技术

    在制备 InP 单晶之前,必须先把符合一定纯度要求的 In 和 P 合成为化合物InP多晶,在此基础上才能进一步制备 InP 单晶。快速有效地进行 InP 多晶的合成是降低生产成本,提高生产效率的重要途径,同时也是制备高质量 InP 单晶的前提。传统合成 InP 多晶料的方法有:水平布里奇曼法(HB),水平温度梯度凝固法(HGF),溶质扩散合成技术(SSD)等。这些方法的缺点是合成时间长,合成效率低,且在制备单晶时需分步骤进行,即首先在特制容器内合成InP多晶,然后将其装入单晶炉内进行拉晶。因此这些传统方法会带来二次污染,造成单晶质量严重下降。 

发明内容   

    本实用新型针对现有技术的不足,提出了一种多管快速合成磷化铟多晶磷泡装置。

本实用新型一种多管快速合成磷化铟多晶磷泡装置,包括一个大圆柱体容器、一个小圆柱型装卸口和多根导气管,所述的大圆柱体容器顶部设有小圆柱型装卸料口,底部对称分布着多根导气管;所述多根导气管对称分布于以大圆柱体容器下底面的圆心为圆心,底部圆半径的2/3长度为半径的圆周上;多根导气管垂直贯穿大圆柱体容器下底面,即分为容器内部的内管和容器外部的外管;所述导气管内管末端封闭,上部设有多个导气小孔;所述导气管外管末端开放,下部设有多个导气小孔。

所述的导气管直径为大圆柱体容器底面直径的1/10~1/6。

所述的导气管内管高度为大圆柱体容器高度的1/2~3/4。所述的大圆柱体容器上下底部边缘采用倒圆角。

所述的小圆柱型装卸口外侧有螺纹。

所述的大圆柱体容器、小圆柱型装卸口和多根导气管都是由石英玻璃制成的。

本实用新型相对于现有技术具有如下优点和效果:

1、本实用新型对称分布的多根根导气管的外管上设置有若干个通气小孔,可以提高磷蒸汽同铟熔体的接触面积和接触均匀性,从而大大提高了合成磷化铟的速率和均匀性,非常适合工业化生产。

2、本实用新型对称分布的多根导气管上设置有若干个通气小孔,更有利于容器内的磷蒸汽顺利排出,避免炸泡和磷残留较多等问题。

3、本实用新型配合磷注入法液封直拉技术可以减少二次污染,减低缺陷,提高磷化铟的纯度。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图;

图2为大圆柱体容器底部俯视图。

具体实施方式

如图1、图2所示,本实用新型一种多管快速合成磷化铟多晶磷泡装置,包括一个大圆柱体容器2、一个小圆柱型装卸口1和三根导气管4,所述的大圆柱体容器2顶部设有小圆柱型装卸料口1,小圆柱型装卸口外侧有螺纹,大圆柱体容器底部对称分布着三根导气管;所述三根导气管4对称分布于以大圆柱体容器下底面的圆心为圆心,底部圆半径的2/3长度为半径的圆周上;三根导气管垂直贯穿大圆柱体容器下底面,即分为容器内部的内管和容器外部的外管;所述导气管内管末端封闭,上部设有多个导气小孔3;所述导气管外管末端开放,下部设有多个导气小孔3,导气管直径为大圆柱体容器底面直径的1/10~1/6,导气管内管高度为大圆柱体容器高度的1/2~3/4。所述的大圆柱体容器上下底部边缘采用倒圆角,所述的大圆柱体容器、小圆柱型装卸口和三根导气管都是由石英玻璃制成的。

本实用新型的工作过程:固体磷从小圆柱型装卸口1装入,将小圆柱型装卸口密封受热,磷蒸汽由容器内部的内管导气小孔3,通过导气管4,由容器外部的外管导气小孔3导出。 

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