[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201320118464.3 | 申请日： | 2013-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN203242637U | 公开（公告）日： | 2013-10-16 |
| 发明（设计）人： | R.西米尼克;F.希尔勒;O.布兰克 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 曲宝壮;李浩 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，包括：
第一导电类型的漂移层(4)；
在所述漂移层(4)上的第二导电类型的体区(7)；
在所述体区(7)上的第一导电类型的源区(8)；
穿过源区(8)、体区(7)延伸进入漂移层(4)的沟槽结构（9），所述沟槽结构包括至少一个栅电极(12)和绝缘结构(10)，其中，所述绝缘结构(10)的一部分在体区(7)下面延伸，
其中，所述漂移层(4)、源区(8)和体区(7)中的至少一个包括缺陷化的半导体材料。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述沟槽结构（9）还包括场板(13)，其中所述绝缘结构(10)将场板(13)与栅电极(12)彼此绝缘，并且将场板(13)和栅电极(12)与漂移层(4)、体区(7)以及源区(8)绝缘。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括用于将所述源区(8)连接到源金属层(22)的接触插塞(21)。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，在相邻沟槽之间限定台面区，所述台面区包括所述源区(8)、体区(7)以及台面漂移区，所述台面漂移区是夹在相邻沟槽之间的漂移层(4)的部分。
5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述接触插塞(21)包括缺陷化的半导体材料。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述缺陷化的半导体材料包括金属元素。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括在所述体区(7)中的第二导电类型的重掺杂区(5)。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，进一步包括用于将所述源区(8)连接到源金属层(22)的接触插塞(21)，所述接触插塞(21)还接触所述体区和所述重掺杂区(5)。
9.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述沟槽结构比所述台面区更宽。
10.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述源区和体区比所述台面漂移区更宽。
11.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述源区和体区比所述台面漂移区宽至少绝缘结构的平均宽度的75%。
12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述源区和体区比所述台面漂移区宽不超过绝缘结构的平均宽度的100%。
13.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述金属元素是铂、金、铂、钯、钒或铱。
14.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述场板(13)被电耦合到源金属层。
15.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述场板被电耦合到所述栅电极。
16.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述接触插塞(21)是多晶硅插塞或金属插塞。
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