[实用新型]一种高亮度GaN基绿光LED中的外延结构有效
| 申请号： | 201320113988.3 | 申请日： | 2013-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN203192834U | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 李盼盼;李鸿渐;李志聪;孙一军;王国宏 | 申请（专利权）人： | 扬州中科半导体照明有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/06 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 亮度 gan 基绿光 led 中的 外延 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种高亮度GaN基绿光LED中的外延结构，包括在衬底上依次生长的GaN成核层、非掺杂GaN层、n型GaN层、InGaN/GaN多量子阱有源层、p型AlGaN电子阻挡层、p型GaN层和InGaN 电流隧穿层，其特征在于在所述InGaN/GaN多量子阱有源层和p型AlGaN电子阻挡层之间生长Al(In)GaN/GaN超晶格插入层。
2.根据权利要求1所述高亮度GaN基绿光LED中的外延结构，其特征在于在所述InGaN/GaN多量子阱有源层外生长Al(In)GaN层，在Al(In)GaN层外生长GaN层，所述p型AlGaN电子阻挡层生长在GaN层外。
3.根据权利要求1所述高亮度GaN基绿光LED中的外延结构，其特征在于在所述InGaN/GaN多量子阱有源层外生长GaN层，在GaN层外生长Al(In)GaN层，所述p型AlGaN电子阻挡层生长在Al(In)GaN层外。
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