[实用新型]基于深N阱NMOS晶体管的源极跟随器有效
| 申请号： | 201320108726.8 | 申请日： | 2013-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN203104402U | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 刘松;杨飞琴;吴柯 | 申请（专利权）人： | 香港中国模拟技术有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 唐立;朱海煜 |
| 地址： | 中国香港德辅道中*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 nmos 晶体管 跟随 | ||
【权利要求书】：
一种基于深N阱NMOS晶体管的源极跟随器，包括电流源和用作输入器件的深N阱NMOS晶体管，所述深N阱NMOS晶体管包括：
P型衬底，
在所述P型衬底中构图掺杂形成的深N阱，
在所述深N阱中构图掺杂形成的P阱，
从所述P阱中引出的体端（B），
在所述P阱中构图掺杂形成的源区和漏区，
从所述深N阱引出的深N阱引出极，
从所述漏区中引出的源极（S），
从所述漏区中引出的漏极（D），以及
栅极（G）；
其中，所述栅极被定义为所述源极跟随器的输入端（Vin），所述源极被定义为所述源极跟随器的输出端（Vout），所述漏极和深N阱引出极接入高电平信号（VDD），所述电流源的两端分别连接所述源极和接地端；
其特征在于，所述体端（B）与所述输入端（Vin）连接，以至于使所述源极与所述体端之间的电压（Vsb）在输入信号变化的情况下保持恒定。
如权利要求1所述的源极跟随器，其特征在于，所述P阱被所述深N阱包围。
如权利要求1所述的源极跟随器，其特征在于，所述深N阱NMOS晶体管中，存在所述源区与所述P阱之间形成的二极管所导致的第一寄生电容（Csb）、所述漏区与所述P阱之间形成的二极管所导致的第二寄生电容（Cdb）、所述P阱与所述深N阱之间形成的二极管所导致的第三寄生电容（Cb）。
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