[实用新型]高方向性超强耦合器

权利要求书

1.高方向性超强耦合器，其特征在于，包括主波导（5）和副波导（6），还包括连通主波导（5）和副波导（6）的耦合孔（7），主波导（5）的两端分别为输入端口（1）和隔离端口A（2），副波导（6）的两端分别为输出端口（3）和隔离端口B（4），联通主波导（5）和副波导（6）的耦合孔（7）的宽度为X，每个耦合孔的高度为Y，相邻两耦合孔中心点的距离为Z，所述主波导（5）和副波导（6）都为圆形空波导，X小于或等于高方向性超强耦合器工作频带中心频率时的波长，Y小于主波导（5）或副波导（6）的最大高度，即Y小于圆形空波导的直径，Z小于高方向性超强耦合器工作频带中心频率时波长的二分之三倍。

2.根据权利要求1所述的高方向性超强耦合器，其特征在于，从主波导（5）的输入端口（1）输入的微波信号通过耦合孔（7）只从副波导（6）的输出端口（3）输出。

3.根据权利要求1所述的高方向性超强耦合器，其特征在于，所述耦合孔（7）的数目大于或等于2，且沿主波导（5）轴线方向上或副波导（6）轴线方向上排布。

4.根据权利要求1所述的高方向性超强耦合器，其特征在于，所述耦合孔（7）的垂直于水平面的横截面为矩形或圆形。

5.根据权利要求1所述的高方向性超强耦合器，其特征在于，所述耦合孔（7）的垂直于水平面的横截面为中心对称图形。

6.根据权利要求1所述的高方向性超强耦合器，其特征在于，主波导（5）的轴线和副波导（6）的轴线相互平行且处于同一水平面上。

7.根据权利要求1所述的高方向性超强耦合器，其特征在于，主波导（5）和副波导（6）相对于主波导（5）和副波导（6）之间的一个平面呈镜像对称，该平面垂直于水平面。