[实用新型]一种阵列基板、显示面板及显示装置有效
申请号: | 201320103768.2 | 申请日: | 2013-03-07 |
公开(公告)号: | CN203150545U | 公开(公告)日: | 2013-08-21 |
发明(设计)人: | 封宾;于海峰 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;安利霞 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 显示 面板 显示装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,具体可以涉及一种阵列基板及显示装置。
背景技术
在TFT-LCD的设计中,array(阵列)基板的布线设计是一项十分重要的内容,其中数据信号线及栅极线等效电阻的计算及设计对显示装置产品的画面品质有直接的影响。
由于阵列基板与OCF(Chip On Film,覆晶薄膜,用于将驱动集成电路IC固定于柔性线路板上晶粒软膜构装技术)接触的区域面积较小,有COF输入的信号如果没有等效电阻的设计,会由于信号到达显示区域的电阻不同而导致H-block(水平向的灰度差异)等不良的出现。
目前的设计一般都是通过在等效电阻区域采用zigzag(锯齿)设计,人为增加部分数据线或栅极线等连接线的长度来达到电阻相同的效果。
但此种设计由于数据线或栅极线从panel(液晶面板)边缘到显示区域距离较远,线宽较窄,导致经常会发生short(短路)或open(断路)等不良,另外传统设计对panel边缘处的空间有一定的要求,与目前窄边框的发展趋势存在冲突。
实用新型内容
本实用新型提供一种阵列基板、显示面板及显示装置,通过调整COF与array基板的接触电阻,使连接不同显示区域的连接线接触电阻适当加大或减小,以此实现电阻的等效设计。
本实用新型提供方案如下:
本实用新型实施例提供了一种阵列基板,包括用于连接驱动集成电路IC与像素区域的多条连接线,以及在覆晶薄膜COF贴附区域内,形成于所述多条连接线所在图层之上的图层中的过孔;
所述多条连接线通过所述过孔,与所述覆晶薄膜COF中对应引线电连接;
所述多条连接线与覆晶薄膜COF中对应引线的接触电阻不同,且长度长的连接线对应的接触电阻,小于长度短的连接线对应的接触电阻。
优选的,所述连接线为数据线和/或栅极线。
优选的,不同连接线的材质导电性不同。
优选的,不同连接线在覆晶薄膜COF贴附区域内的覆盖面积不同。
优选的,不同连接线所在位置处的过孔大小不同。
优选的,不同连接线所在位置处中的过孔数量不同。
优选的,不同连接线所在位置处中的过孔形状不同。
优选的,所述过孔形成于阵列基板的钝化层中。
本实用新型实施例还提供了一种显示面板,所述显示面板包括上述本实用新型实施例提供的阵列基板。
本实用新型实施例还提供了一种显示装置,所述显示装置包括上述本实用新型实施例提供的显示面板。
从以上所述可以看出,本实用新型实施例提供的阵列基板、显示面板及显示装置,通过调整COF与阵列基板中连接线的接触电阻,使连接不同显示区域的连接线接触电阻适当加大或减小,以此实现电阻的等效设计,进而提高显示面板的显示效果。
附图说明
图1为本实用新型实施例提供的阵列基板结构示意图一;
图2为本实用新型实施例提供的阵列基板结构示意图二;
图3为本实用新型实施例提供的阵列基板结构示意图三。
具体实施方式
为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本实用新型实施例的附图,对本实用新型实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本实用新型的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本实用新型的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
除非另作定义,此处使用的技术术语或者科学术语应当为本实用新型所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本实用新型专利申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。同样,“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制,而是表示存在至少一个。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位置改变后,则该相对位置关系也相应地改变。
本实用新型实施例提供了一种阵列基板,包括用于连接驱动集成电路IC与像素区域的多条连接线,以及在覆晶薄膜COF贴附区域内,形成于所述多条连接线所在图层之上的图层中的过孔;
所述多条连接线通过所述过孔,与所述覆晶薄膜COF中对应引线电连接;
所述多条连接线与覆晶薄膜COF中对应引线的接触电阻不同,且长度长的连接线对应的接触电阻,小于长度短的连接线对应的接触电阻。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的