[实用新型]侧接触CMOS影像采集模组有效
| 申请号: | 201320093327.9 | 申请日: | 2013-02-27 |
| 公开(公告)号: | CN203192798U | 公开(公告)日: | 2013-09-11 |
| 发明(设计)人: | 冷启明;张开元;陈威威;张宇驰 | 申请(专利权)人: | 深圳市微高半导体科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 518110 广东省深圳市宝安区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 接触 cmos 影像 采集 模组 | ||
【权利要求书】:
1.一种侧接触CMOS影像采集模组,其特征在于:包括镜头座,及设置在镜头座内、与镜头座螺纹连接的镜头,及设置在镜头座下方的柔性电路板,及设置在镜头下方的、封装在柔性电路板上的感光芯片,及包覆在柔性电路板四周的补强件;所述柔性电路板上设置有用于定位的电子元件,所述补强件四周设置有金属片。
2.根据权利要求1所述的侧接触CMOS影像采集模组,其特征在于:所述电子元件是电容或电阻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





