[实用新型]缓冲温控电路及散热器

权利要求书

1.一种缓冲温控电路，与风扇连接并控制所述风扇工作，其特征在于，所述缓冲温控电路包括：

控制端接收低电平以触发导通的开关模块，所述开关模块输入端与直流电源连接、输出端与所述风扇电连接；

低温检测模块，其输出端输出第一电压与温度成反比；

与所述低温检测模块连接，根据所述第一电压的大小导通或关闭的续流模块；

高温检测模块，其输出端输出第二电压与温度成正比；

阳极与所述续流模块和所述开关模块的控制端连接、阴极接地以及门极与所述高温检测模块连接的可控硅。

2.如权利要求1所述的缓冲温控电路，其特征在于，所述低温检测模块包括分压电阻R1、负温度系数的热敏电阻R2以及与所述热敏电阻R2并联的滤波电容C1，所述分压电阻R1的第一端与一电源连接、第二端作为所述低温检测模块的输出端输出所述第一电压并经所述热敏电阻R2接地。

3.如权利要求1所述的缓冲温控电路，其特征在于，所述高温检测模块包括负温度系数的热敏电阻R3、分压电阻R4和与所述分压电阻R4并联的滤波电容C2，所述热敏电阻R3的第一端与一电源连接、第二端作为所述高温检测模块的输出端输出所述第二电压并经所述分压电阻R4接地。

4.如权利要求1或2所述的缓冲温控电路，其特征在于，所述续流模块包括以高电平触发导通的可控开关Q1、以高电平触发导通的可控开关Q2以及以低电平触发导通的可控开关Q3，其中，

所述可控开关Q1的控制端与所述低温检测模块的输出端连接、输入端经一分压电阻R5与一电源连接，所述可控开关Q1的输出端接地；

所述可控开关Q2的控制端与所述可控开关Q1的输入端连接并通过一分压电阻R6接地、输入端经一限流电阻R7与所述可控开关Q3的控制端连接，所述可控开关Q2的输出端接地；

所述可控开关Q3的输入端经一限流电阻R8与所述直流电源连接并经一电阻R9与其控制端连接、所述可控开关Q3的输出端作为所述续流模块的输出端与所述可控硅的阳极连接。

5.如权利要求1所述的缓冲温控电路，其特征在于，所述开关模块包括以低电平触发导通的可控开关Q4、分压电阻R10以及分压电阻R11，其中，

所述可控开关Q4的输入端与所述直流电源连接、输出端与所述风扇电连接、控制端经所述分压电阻R10与所述可控硅的阳极连接，所述分压电阻R11连接在所述可控开关Q4的输入端和控制端之间。

6.如权利要求1或5所述的缓冲温控电路，其特征在于，所述缓冲温控电路还包括稳压器、滤波电容C3、电感器L1以及两个滤波电容C4，其中，

所述稳压器的输入端与所述开关模块的输出端连接，所述稳压器的输出端经所述电感器L1与所述风扇连接，所述稳压器的接地端接地且通过所述滤波电容C3与其输入端连接，所述两个滤波电容C4并联后的一端与所述述电感器L1未与所述稳压器连接的一端连接、另一端接地。

7.如权利要求4所述的缓冲温控电路，其特征在于，所述可控开关Q4为PNP型三极管或P型MOS管，其中，

所述可控开关Q4为PNP型三极管时，其输入端、输出端、控制端依次为PNP型三极管的发射极、集电极、基极；所述可控开关Q4为P型MOS管，其输入端、输出端、控制端依次为P型MOS管的源极、漏极、栅极。

8.如权利要求4所述的缓冲温控电路，其特征在于，所述可控开关Q1为NPN型三极管或N型MOS管，所述可控开关Q2为NPN型三极管或N型MOS管，所述可控开关Q3为PNP型三极管或P型MOS管，其中，

所述可控开关Q1和可控开关Q2为NPN型三极管时，其输入端、输出端、控制端依次为NPN型三极管的集电极、发射极、基极；所述可控开关Q1和可控开关Q2为N型MOS管时，其输入端、输出端、控制端依次为N型MOS管的漏极、源极、栅极；所述可控开关Q3为PNP型三极管时，其输入端、输出端、控制端依次为PNP型三极管的发射极、集电极、基极；所述可控开关Q3为P型MOS管，其输入端、输出端、控制端依次为P型MOS管的源极、漏极、栅极。

9.一种散热器，包括风扇，其特征在于，还包括如权利要求1-8任一项所述的缓冲温控电路。