[实用新型]一种新型太阳能电池正电极有效
申请号: | 201320088555.7 | 申请日: | 2013-02-27 |
公开(公告)号: | CN203085565U | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
发明(设计)人: | 戴熙明;刘荣林;向礼海 | 申请(专利权)人: | 上海艾力克新能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201401 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 太阳能电池 电极 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池领域,更具体的说,涉及一种新型的太阳能电池正电极网版图形结构。
背景技术
太阳能是清洁、永无止尽的可再生能源,以半导体硅为材料制作的PN结型太阳电池技术得到了蓬勃发展。但是太阳能光伏技术要实现平价上网、要实现普及应用,进一步降低成本势在必行。硅太阳电池的制作以半导体硅材料为基底,在其表面制作出金字塔形状的绒面,再利用扩散技术制作PN结,然后进行边缘刻蚀,再利用等离子体PECVD镀膜技术在其表面镀一层钝化减反射膜,最后通过丝网印刷烧结技术实现电极的制作。
丝网印刷技术制作电极,包括正电极和负电极,其主要作用是将半导体光伏电池内部产生的电流收集起来,并引出到外电路。通过正负电极,可以将单个光伏电池互联焊接,增大功率输出。制作正电极的材料称为银浆,是一种由贵金属银粉、粘结剂玻璃料、有机载体等组成的导电浆料,电流通过重结晶在硅发射极上的银晶粒传输。良好的电极性能,要求银电极与测试探针有良好接触,银电极必须具备良好的焊接可靠性能,银电极串联电阻造成的功率损失要小,这些具体的性能要求及银粉本身昂贵的价格,导致银浆价格一直在高位运行,银浆成本也成为晶体硅太阳电池生产制造成本的重要组成部分。
如果能够减少电池生产制造过程中的银浆用量,就必然能够降低电池生产制造的成本,但是盲目减少银浆用量往往会导致电池性能下降,造成得不偿失的结果。因此,如何进行电极图形的设计优化,以确保在电池生产过程中银浆用量减少的同时又能获得优异的电池性能,是一个重要的课题。
实用新型内容
本实用新型针对上述存在的技术问题,提供一种新型太阳能电池正电极,减少电池生产制造过程中的银浆用量,同时获得性能良好的太阳电池。
为达到上述目的,本实用新型采用的技术方案如下:
一种新型太阳能电池正电极,所述太阳能电池正电极图形包括主栅线、副栅线以及边框线,其中,主栅线数量为2根以上,副栅线为若干根,主栅线与副栅线相互垂直,副栅线之间相互平行,边框线平行于主栅线、垂直于副栅线且与副栅线相连接;主栅线主体部分为具有镂空结构的银浆料印刷区域,副栅线穿过所述主栅线的镂空结构。
所述主栅线主体部分的镂空结构包括在主栅线中插入的多段镂空部分,所述每一段镂空部分包括五个区域,分别是:中间部分的银浆料印刷区域,往两边是镂空区域,再往两边是银浆料印刷区域,该五个区域构成一段镂空部分。
所述主栅线两端采用渐变设计,最端点的宽度较小,再逐渐变宽到与主体部分宽度一致。
所述多段镂空部分等间距插入在主栅线中。
本实用新型技术方案所带来的有益效果如下:
主栅线主体部分采用镂空结构的设计大大降低了正银浆料的使用量,降低生产成本;对称分段镂空式结构美化了电池外观;包括五个区域的镂空部分的设计增大有效受光面积,提高光生电流,提升光电转换效率,从而可获得性能优异的太阳能电池。
附图说明
图1是现有技术的结构示意图;
图2是本实用新型所提供的结构示意图;
图3是图2中A部分的局部放大图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本实用新型技术方案做进一步详细的说明,本实施例在以本实用新型技术方案为前提下进行实施,给出了详细的实施方式,但本实用新型的保护范围不限于下述的实施例。
图1所示的传统的太阳能电池正电极网版图形,包括主栅线1、副栅线2以及边框线3,其中,主栅线1数量为2根以上,副栅线2为若干根,主栅线1与副栅线2相互垂直,副栅线2之间相互平行,边框线3平行于主栅线1、垂直于副栅线2且与副栅线2相连接。主栅线1全部采用银浆料制成。
图2所示为本实用新型所提供的太阳能电池正电极网版图形,包括主栅线1、副栅线2以及边框线3。主栅线1主体部分采用镂空结构的设计,该镂空结构是在主栅线1中设计插入多段镂空部分10;本实施例中采用的是等间距插入的7段镂空部分。两两镂空部分之间的距离为X2,两端镂空部分与边缘的距离为X1;每一段镂空部分的长度为X3。主栅线1两端采用渐变设计,其最端点的宽度比较小,宽度逐渐变宽到与主体部分宽度一致。
图3所示,每一段镂空部分10均包括五个区域,中间是宽度为c的浆料印刷区域,往两边是宽度都为b的镂空区域,再往两边是宽度都为a的浆料印刷区域,这五个区域构成一段镂空部分,副栅线设计为穿过镂空部分。
本实用新型的上述镂空结构的设计大大降低了正银浆料的使用量,且可获得性能优异的太阳电池。
上述实施例应理解为仅用于说明本实用新型而不用于限制本实用新型的保护范围。在阅读了本实用新型记载的内容之后,本领域技术人员可以对本实用新型作各种改动或修改,这些等效变化和修饰同样落入本实用新型权利要求所限定的范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的