[实用新型]可用于超高速电光采样的电光波导有效
| 申请号: | 201320082656.3 | 申请日: | 2013-02-22 |
| 公开(公告)号: | CN203069927U | 公开(公告)日: | 2013-07-17 |
| 发明(设计)人: | 梁华伟;阮双琛;张敏;苏红 | 申请(专利权)人: | 深圳大学 |
| 主分类号: | G02F1/035 | 分类号: | G02F1/035 |
| 代理公司: | 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 44312 | 代理人: | 陈健 |
| 地址: | 518060 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 超高速 电光 采样 波导 | ||
1.一种可用于超高速电光采样的电光波导,其特征在于,所述电光波导包括AlGaAs芯层和位于所述AlGaAs芯层两侧的AlGaAs包层,所述两侧的AlGaAs包层的外侧分别设有电极;所述两侧的AlGaAs包层对输入的飞秒激光的折射率相同,且低于所述AlGaAs芯层对输入的飞秒激光的折射率。
2.如权利要求1所述的电光波导,其特征在于,所述两侧的AlGaAs包层对输入的飞秒激光的折射率与所述AlGaAs芯层对输入的飞秒激光的折射率满足下述关系:
其中,n1、n2分别为波导芯层和包层的折射率,a为波导芯层的厚度,λ为入射的飞秒激光的波长。
3.如权利要求2所述的电光波导,其特征在于,所述入射光波长为1.064μm,所述两侧的AlGaAs包层的折射率为3.52,厚度为8μm;所述AlGaAs芯层的折射率为3.53,厚度为2μm。
4.如权利要求3所述的电光波导,其特征在于,所述电光波导中所传导的光的场分布为两个正交模场的线性组合,且两个正交模在所述电光波导输出截面的相位差随外加电压呈线性变化。
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