[实用新型]一种过温保护电路

权利要求书

1.过温保护电路，其特征在于包括分压电路、比较电路、输出驱动电路：

所述分压电路通过分压电阻产生出两个门限电压提供给所述比较电路；

所述比较电路是把所述分压电路产生的两个门限电压和外围的热敏电阻产生的温度检测电压得到控制电压；

所述输出驱动电路是把所述比较电路产生的控制电压去控制输出管得到温度保护电压。

2.如权利要求1所述的过温保护电路，其特征在于所述分压电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻和第五电阻：

所述第一电阻的一端接电源，另一端接所述第二电阻的一端和所述比较电路；

所述第二电阻的一端接所述第一电阻的一端和所述比较电路，另一端接所述第三电阻的一端和所述输出驱动电路；

所述第三电阻的一端接所述第二电阻的一端和所述输出驱动电路，另一端接所述第四电阻的一端；

所述第四电阻的一端接所述第三电阻的一端和所述输出驱动电路，另一端接所述第五电阻的一端和所述比较电路；

所述第五电阻的一端接所述第四电阻的一端和所述比较电路，另一端接地。

3.如权利要求1所述的过温保护电路，其特征在于所述比较电路包括第一比较器和第二比较器：

所述第一比较器的正输入端接外围温度检测电压，负输入端接所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端，输出端接所述输出驱动电路；

所述第二比较器的正输入端接所述第四电阻的一端和所述第五电阻的一端，负输入端接外围温度检测电压，输出端接所述输出驱动电路。

4.如权利要求1所述的过温保护电路，其特征在于所述输出驱动电路包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管和第一PMOS管：

所述第一NMOS管的栅极接所述第一比较器的输出端和所述第三NMOS管的栅极，漏极接所述第二电阻的一端和所述第三电阻的一端和所述第二NMOS管的漏极，源极接所述第三电阻的一端和所述第四电阻的一端和所述第二NMOS管的源极；

所述第二NMOS管的栅极接所述第二比较器的输出端和所述第四NMOS管的栅极，漏极接所述第二电阻的一端和所述第三电阻的一端和所述第一NMOS管的漏极，源极接所述第三电阻的一端和所述第四电阻的一端和所述第一NMOS管的源极；

所述第三NMOS管的栅极接所述第一比较器的输出端和所述第一NMOS管的栅极，漏极接所述第一PMOS管的漏极和所述第四NMOS管的漏极，源极接地；

所述第四NMOS管的栅极接所述第二比较器的输出端和所述第二NMOS管的栅极，漏极接所述所述第一PMOS管的栅极接偏置电压，漏极接所述第三NMOS管的漏极和所述第四NMOS管的漏极，源极接电源。