[实用新型]一种带隙基准电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及集成电路技术，尤其涉及到带隙基准电路。

背景技术

在集成电路中，带隙基准电路是很重要的单元，其作用越来越明显。

发明内容

本实用新型旨在解决现有技术的不足，提供一种高精度和高稳定度的带隙基准电路。

带隙基准电路，包括带隙电路、反馈输出电路和启动电路：

所述带隙电路产生随温度变化很小的基准电压；

所述反馈输出电路是对所述带隙电路进行频率响应补偿并输出基准电压；

所述启动电路是对所述带隙电路提供启动电流。

所述带隙电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NPN管、第二NPN管、第一电阻、第二电阻、第一电容、第一NMOS管和第二NMOS管：

所述第一PMOS管的栅极接所述第二PMOS管的漏极和所述第一NPN管的集电极，漏极接所述第一NMOS管的漏极和栅极，源极接电源；

所述第二PMOS管的栅极接所述第三PMOS管的栅极和所述第一PMOS管的栅极和所述第一NPN管的集电极，漏极接所述第三PMOS管的栅极和所述第一PMOS管的栅极，源极接电源；

所述第三PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的栅极和所述第一NPN管的集电极，漏极接所述第四PMOS管的栅极和所述第二NPN管的集电极，源极接电源；

所述第四PMOS管的栅极接所述第三PMOS管的漏极和所述第二NPN管的集电极，漏极接所述第一NPN管的基极和所述第二NPN管的基极和所述第一电容的一端，源极接电源；

所述第一NPN管的基极接所述第二NPN管的基极和所述第四PMOS管的漏极，集电极接所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的栅极和漏极，发射极接所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端；

所述第二NPN管的基极接所述第一NPN管的基极和所述第四PMOS管的漏极和所述第一电容的一端，集电极接所述第三PMOS管的漏极和所述第四PMOS管的栅极，发射极接所述第一电阻的一端；

所述第一电阻的一端接所述第二NPN管的一端，另一端接所述第二电阻的一端和所述第一NPN管的发射极；

所述第二电阻的一端接所述第一电阻的一端和所述第一NPN管的发射极，另一端接地；

所述第一电容的一端接所述第一NPN管的基极和所述第二NPN管的基极和所述第四PMOS管的漏极，另一端接地；

所述第一NMOS管的栅极接所述第一PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的栅极，漏极接所述第一PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的栅极，源极接地；

所述第二NMOS管的栅极接所述第一PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的栅极，漏极接所述第一NPN管的基极和所述第二NPN管的基极和所述第四PMOS管的漏极，源极接地。

所述反馈输出电路包括第三NMOS管、第四NMOS管、第三NPN管、第四NPN管、第三电阻和第二电容：

所述第三NMOS管的栅极接所述第一NMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极，漏极接所述第四NMOS管的源极和所述第三NPN管的发射极，源极接地；

所述第四NMOS管的栅极接所述第一NPN管的基极和所述第二NPN管的基极和所述第四PMOS管的漏极，漏极接电源，源极接所述第三NPN管的发射极和所述第三NMOS管的漏极；

所述第三NPN管的基极接所述第四NPN管的基极，集电极接电源，发射极接所述第四NMOS管的源极和所述第三NMOS管的漏极；

所述第四NPN管的基极接所述第三NPN管的基极，集电极接电源，发射极接所述第一NPN管的基极和所述第二NPN管的基极和所述第四PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的漏极和所述第三电阻的一端；

所述第三电阻的一端接所述第四NPN管的发射极和所述第一NPN管的基极和所述第二NPN管的基极和所述第四PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的漏极，另一端接所述第二电容的一端；

所述第二电容的一端接所述第三电阻的一端，另一端接地。

所述启动电路包括第四电阻、第五NPN管和第六NPN管：

所述第四电阻的一端接电源，另一端接所述第五NPN管的集电极和基极和所述第三NPN管的基极和所述第四NPN管的基极；

所述第五NPN管的基极接所述第三NPN管的基极和所述第四NPN管的基极和所述第四电阻的一端，集电极接接所述第三NPN管的基极和所述第四NPN管的基极和所述第四电阻的一端，发射极接所述第六NPN管的基极和集电极；