[实用新型]双层恒温半导体激光系统有效
| 申请号： | 201320075721.X | 申请日： | 2013-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN203205701U | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 管桦;邵虎;钱源;边武;黄垚;刘培亮;黄贵龙;高克林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院武汉物理与数学研究所 |
| 主分类号： | H01S5/024 | 分类号： | H01S5/024 |
| 代理公司： | 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 | 代理人： | 俞鸿;李满 |
| 地址： | 430072 湖北省武汉市武昌区小*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 双层 恒温 半导体 激光 系统 | ||
1.一种双层恒温半导体激光系统，包括激光器（1）、与激光器（1）输出端连接的激光输出模块（2）、设置在激光器（1）的黄铜底座（1.1）内的内层恒温模块（3）、与激光器（1）的电流控制端连接的电流控制模块（4），其特征在于：所述激光器（1）的外壳（1.2）内部设有外层恒温模块（5）。
2.根据权利要求1所述的双层恒温半导体激光系统，其特征在于：所述外层恒温模块包括电源稳压单元、温度探测器、运算放大器T1、同相跟随器T2、可调电阻R1、电阻R2~ R14、复合三极管Q1~Q4和电容C1，其中，所述电源稳压单元的输入端连接电源，电源稳压单元的输出端连接运算放大器T1的正电源端，运算放大器T1的负电源端接地，运算放大器T1的正电源端通过串联的可调电阻R1和电阻R2接地，所述运算放大器T1的同相输入端连接可调电阻R1的阻值调整端，所述运算放大器T1的反相输入端通过串联的电阻R3和电阻R5连接温度探测器的信号输出端，电阻R3和电阻R5之间通过电阻R4接地，运算放大器T1的输出端通过电阻R6连接运算放大器T1的反相输入端；
运算放大器T1的输出端还通过电阻R7连接同相跟随器T2的同相输入端，同相跟随器T2的反相输入端连接复合三极管Q4的发射极，同相跟随器T2的输出端通过电阻R8连接复合三极管Q4的基极，复合三极管Q4的发射极通过电阻R14接地，复合三极管Q4的基极和发射极之间通过电阻R9连接，复合三极管Q4的基极和集电极之间通过电容C1连接；
所述复合三极管Q1的集电极连接电源，复合三极管Q1的基极和集电极之间连接电阻R10，所述复合三极管Q1的发射极连接复合三极管Q2的集电极，复合三极管Q2的基极和复合三极管Q1的基极之间连接电阻R11，复合三极管Q2的发射极连接复合三极管Q3的集电极，复合三极管Q3的基极与复合三极管Q2的基极之间连接电阻R12，复合三极管Q3的发射极连接复合三极管Q4的集电极，复合三极管Q3的基极还通过电阻R13接地。
3.根据权利要求2所述的双层恒温半导体激光系统，其特征在于：所述复合三极管Q1~Q4分别设置在激光器（1）的外壳（1.2）底部的四个角。
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