[实用新型]红外线发射灯的电流控制装置

说明书

本实用新型涉及一种控制装置，尤其是涉及一种红外线发射灯的电流控制装置。

如图1所示，现有的红外线发射灯的电流控制装置包括主控板、与主控板相连的n个发射控制板B1、B2、...和Bn，每个发射控制板的控制电路分别控制一个红外线发射灯。

以发射控制板B1的控制电路为例来说明其工作原理。从引脚IO1输入的电流依次流过电阻R1、三极管Q1、红外线发射灯N1、三极管Q2和电阻R3，而三极管Q2的基极通过电阻R2连接引脚IO2。当引脚IO1输入低电平0时，引脚IO1的电流通过电阻R1驱动PNP三极管Q1，使三极管Q1完全导通；当引脚IO2输入高电平1时，引脚IO2的电流通过电阻R2驱动NPN三极管Q2，使三极管Q2完全导通。当三极管Q1和三极管Q2都完全导通时，红外线发射灯N1发光，发光强度受电阻R3控制：电阻R3越大，流过红外线发射灯N1的电流越小，其发光越弱；反之，电阻R3越小，流过红外线发射灯N1的电流越大，其发光越强。因此，如果要改变红外线发射灯N1的发光强度，必须改变电阻R3的电阻值。

当n个发射控制板B1、B2、...和Bn分别要改变红外线发射灯N1、N2、...和Nn的发光强度时，就必须改变各个发射控制板B1、B2、...和Bn中电阻R3的电阻值，从而导致经常动用电烙铁手工更改电阻R3的电阻值，不仅生产效率低，且容易造成虚焊等故障。

本实用新型提出一种结构简单、实现容易的红外线发射灯的电流控制装置，以解决目前需要通过改变各个发射控制板上电阻R3阻值来控制各个红外线发射灯的亮度而存在效率低、容易产生虚焊等故障的技术问题。

本实用新型采用如下技术方案实现：一种红外线发射灯的电流控制装置，包括主控板及与主控板相连的n个发射控制板，每个发射控制板具有相同的控制电路，该控制电路包括：集电极连接在红外线发射灯其中一端的三极管Q1、该三极管Q1的基极耦接引脚IO1，而红外线发射灯的另一端连接三极管Q2的集电极，该三极管Q2的基极耦接引脚IO2；在主控板上设置电阻R3，该电阻R3的一端接地，另一端分别连接每个发射控制板上三极管Q2的发射极。

其中，引脚IO1和引脚IO2分别与控制器相连。

其中，控制器为单片机或DSP芯片。

与现有技术相比，本实用新型具有如下有益效果：

与现有技术相比，本实用新型具有如下有益效果：

本实用新型的结构简单、操作方便且实现简易，可以提高生产效率，减少电路发生虚焊而产生故障的几率，从而可以提高电路的可靠性与稳定性。

图1是现有技术的示意图；

图2是本实用新型的电路示意图。

如图2所示，本实用新型提出结构简单、实现容易的红外线发射灯的电流控制装置，在图1所示现有技术的基础上，本实用新型将n个发射控制板B1、B2、...和Bn上各自控制电路共用电阻R3，且将电阻R3移至主控板之上，即：发射控制板B1、B2、...和Bn上各自控制电路的三极管Q2的发射极均连接电阻R3的其中一端，而电阻R3的另一端接地。

其中，n个发射控制板B1、B2、...和Bn上具有相同的控制电路，该控制电路包括：集电极连接在红外线发射灯其中一端的三极管Q1，该三极管Q1的基极耦接引脚IO1，而红外线发射灯的另一端连接三极管Q2的集电极，该三极管Q2的基极耦接引脚IO2，而三极管Q2的发射极均连接设置在主控板上的电阻R3。

其中，引脚IO1和引脚IO2可以分别与控制器相连，比如，控制器为单片机或DSP芯片。

当n个发射控制板B1、B2、...和Bn分别要改变红外线发射灯N1、N2、...和Nn的发光强度时，只需要将设置在主控板上的电阻R3的阻值改变，就可以实现改变流过各个红外线发射灯N1、N2、...和Nn的电流，从而改变各个红外线发射灯N1、N2、...和Nn的发光强度。

本实用新型的结构简单、操作方便且实现简易，可以提高生产效率，减少电路发生虚焊而产生故障的几率，从而可以提高电路的可靠性与稳定性。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。