[实用新型]压阻式高频动态土应力传感器有效
| 申请号： | 201320069752.4 | 申请日： | 2013-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN203216646U | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 沈娇艳;唐运海;程新利;王冰;秦长发;潘涛;王文襄 | 申请（专利权）人： | 苏州科技学院;昆山双桥传感器测控技术有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 范晴 |
| 地址： | 215009 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 压阻式 高频 动态 应力 传感器 | ||
【权利要求书】：
1.压阻式高频动态土应力传感器，包括传感器壳体（7）、应力敏感组件、信号调理放大电路（11）和引出电缆（13），其特征在于，所述应力敏感组件包括基底（1）—绝缘隔离层（2）—应变电阻（3）—绝缘保护层（5）构成的结构；且所述应力敏感组件通过高硼硅玻璃（6）封接于传感器壳体（7）前端的固支台阶（18）。
2.根据权利要求1所述的压阻式高频动态土应力传感器，其特征在于,所述基底（1）层为高杨氏模量的不锈钢膜片,所述传感器壳体（7）由高质量日立合金制成，所述应变电阻（3）为半导体应变电阻。
3.根据权利要求1或2所述的压阻式高频动态土应力传感器，其特征在于,所述应变电阻（3）为掺硼P型微晶硅应变电阻。
4.根据权利要求1或2所述的压阻式高频动态土应力传感器，其特征在于,绝缘隔离层（2）和绝缘保护层（5）由二氧化硅绝缘材料制备而成。
5.根据权利要求1所述的压阻式高频动态土应力传感器，其特征在于,所述应力敏感组件还包括设在应变电阻外周的调整电阻。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州科技学院;昆山双桥传感器测控技术有限公司，未经苏州科技学院;昆山双桥传感器测控技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201320069752.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种索力测量装置
- 下一篇：一种抗雷击电力变压器Pt100信号转换装置
