[实用新型]一种阵列基板及液晶显示面板有效

专利信息
申请号: 201320067667.4 申请日: 2013-02-05
公开(公告)号: CN203084393U 公开(公告)日: 2013-07-24
发明(设计)人: 姜文博;薛海林;董学;车春城;陈东 申请(专利权)人: 北京京东方光电科技有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L29/786;H01L29/423;H01L29/417
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 黄志华
地址: 100176 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 阵列 液晶显示 面板
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及液晶显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及液晶显示面板。

背景技术

ADS模式是平面电场宽视角核心技术,具体地,通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场,使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转,从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。

随着高级超维场转换技术(Advanced Super Dimension Switch,ADS)液晶显示产品需求量的不断增加,高开口率,较高良品率是每一个厂家不断追求的目标。

参见图1,为一种高开口率的阵列基板。包括交叉设置的栅线101和数据线102、公共电极线103以及由数据线102和栅线101围设形成的亚像素单元(图1仅示出相邻两列亚像素单元中的上下两个亚像素单元),每个亚像素单元包括一个TFT104和一个像素电极105;相邻两行栅线101位于相邻两行亚像素单元之间,该相邻两行亚像素单元中位于同一列的TFT的栅极交错相向,相邻两行公共电极线103之间相隔两行亚像素单元。如图1,位于同一列上一行的亚像素单元的TFT104的漏电极与像素电极105的第一过孔106,位于下一行亚像素单元的TFT104的栅线101的区域内,在透光方向上,该第一过孔106的投影完全落在下一行的亚像素单元的栅线101的投影内,这样的设计方式开口率较高,但是存在一个闪烁不良(flicker)现象。具体地,每一TFT与相对设置的栅线在垂直方向的投影有重叠区域,也就是说,像素电极的电压随栅线电压的变化如图2所示,像素电极的电压在第一栅线充电完成后会出现一次下降,这就是常说的ΔVp,但是由于像素电极与相邻的第二栅线存在垂直方向的重叠区域,使得相邻栅线的电压降会降影响本像素电极的电压,会使得电压再下拉一次。因此会使得图像显示出现闪烁不良现象。

实用新型内容

本实用新型实施例提供了一种阵列基板及液晶显示面板,用以解决图像显示存在闪烁不良(flicker)的问题。

本实用新型实施例提供的一种阵列基板,包括基板,基板上交叉设置的数据线和栅线,以及由数据线和栅线围设而成的亚像素单元,各亚像素单元包括TFT和像素电极,TFT的源电极与所述数据线连接,TFT的漏电极与所述像素电极相连,TFT的栅电极与所述栅线相连;分别驱动相邻两行相对设置的亚像素单元的栅线位于所述两行亚像素单元之间,所述漏电极与所述栅线在垂直方向的投影无重叠区域。

较佳地,所述相邻两行亚像素单元之间的两条栅线中,上一行的栅线与下一行亚像素单元连接,下一行栅线与上一行亚像素单元连接,两条栅线分别驱动与之相连的亚像素单元。

较佳地,所述各亚像素单元的TFT设置在驱动该亚像素单元的栅线上,所述TFT的漏电极与所述亚像素单元中的像素电极连接。

较佳地,所述像素电极包括位于两条栅线之间的部分以及位于两条栅线两侧的部分,所述漏电极与所述像素电极中所述位于两条栅线之间的部分连接。

较佳地,还包括公共电极,所述公共电极与所述栅线和像素电极位于不同层且相绝缘,所述公共电极位于所述像素电极下方以及所述栅线上方;所述栅线位于所述公共电极在垂直方向的投影区域内。

较佳地,所述漏电极与所述像素电极位于不同层,且通过第一过孔电性连接

较佳地,还包括位于公共电极下方与公共电极相绝缘的多条公共电极线,所述各公共电极线通过第二过孔与所述公共电极连接。

较佳地,所述多条公共电极线分布在显示区域和外围区域,分布在外围区域的公共电极线与公共电极连接的所述第二过孔的数量至少为两个。

本实用新型实施例提供一种液晶显示面板,包括对盒设置的彩膜基板和所述阵列基板。

较佳地,所述栅线的投影落在所述彩膜基板上黑矩阵的投影内。

较佳地,在彩膜基板侧,当一个像素单元由三种颜色的亚像素单元组成时,所述栅线位置对应的黑矩阵与所述公共电极线位置对应的黑矩阵宽度相同;

当一个像素单元由至少四种颜色的亚像素单元组成时,所述栅线位置对应的黑矩阵与所述公共电极线位置对应的黑矩阵宽度不相同。

本实用新型实施例提供的一种阵列基板及液晶显示面板,通过设置满足如下条件的阵列基板:TFT的漏电极与栅线在垂直方向的投影无重叠区域,避免图像显示存在闪烁不良(flicker)的问题。

附图说明

图1为现有技术中TFT阵列基板结构的俯视示意图;

图2为图1所示的阵列基板中栅线和像素电极工作时序图;

图3为本实用新型实施例提供的一种采用一字型TFT的阵列基板结构的俯视示意图;

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