[实用新型]一种阵列基板及OLED显示装置有效
| 申请号: | 201320067352.X | 申请日: | 2013-02-05 |
| 公开(公告)号: | CN203055913U | 公开(公告)日: | 2013-07-10 |
| 发明(设计)人: | 任丽君 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 杜秀科 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 阵列 oled 显示装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及薄膜晶体管液晶显示技术领域,特别是涉及一种阵列基板及OLED显示装置。
背景技术
采用OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)的显示器是一种新兴的平板显示器件,由于其制备工艺简单、成本低、响应速度快、易于实现彩色显示和大屏幕显示、功耗低、容易实现和集成电路驱动器的匹配、发光亮度高、工作温度适应范围广、体积轻薄且易于实现柔性显示等优点,因此具有广阔的应用前景。
OLED显示装置按照驱动方式的不同,可以分为无源矩阵驱动和有源矩阵驱动两种。由于有源矩阵驱动的OLED显示装置在面板上加入了薄膜晶体管,从而使像素单元在一帧时间内都能够发光,且其所需要的驱动电流小,功耗低,寿命更长,可以满足高分辨率多灰度的大尺寸显示需要。因此,现有的OLED显示装置通常采用有源矩阵驱动,现有的有源矩阵驱动的OLED显示装置的阵列基板包括:基板,设置在基板上的多个像素单元,以及设置在所述基板周边缘的多个驱动芯片,且多个驱动芯片与所述的多个像素单元信号连接。
现有技术的缺陷在于:现有的有源矩阵驱动的OLED显示装置由于内部空间有限,设置在基板周边缘的驱动芯片无法给薄像素单元提供足够的驱动能力,从而导致OLED显示装置显示的画面亮度不均匀。
实用新型内容
本实用新型提供了一种阵列基板及OLED显示装置,用以使OLED显示装置显示的画面亮度更加均匀,提升显示效果。
本实用新型包括:
一种阵列基板,包括:薄膜晶体管基板和多个驱动芯片,其中,所述薄膜晶体管基板包括:透明衬底以及设置在透明衬底一面的多个像素单元;所述驱动芯片设置在透明衬底另一面,用于向所述像素单元传输信号。
优选的,所述像素单元包括薄膜晶体管和像素电极,所述薄膜晶体管包括栅极、有源层、源极和漏极,其中:
所述栅极位于所述透明衬底之上;
所述有源层位于所述栅极的上方;
所述源极和所述漏极之间形成沟道,且所述漏极与所述像素电极连接,所述驱动芯片通过所述源极向所述像素单元传输信号。
优选的,所述透明衬底具有过孔,且过孔内设有导电物质。
优选的,所述像素单元还包括设置在所述栅极和所述有源层之间的栅绝缘层,且所述栅绝缘层具有与所述过孔对应的通孔,所述通孔内设置有所述导电物质,所述驱动芯片的输出端通过所述导电物质与所述源极信号连接。
优选的,所述导电物质为金属或石墨。
优选的,所述像素单元还包括设置在所述透明衬底和所述栅极之间的保护膜层,所述保护膜层具有与所述过孔对应的通孔。
优选的,所述驱动芯片焊接在所述透明衬底上。
优选的,所述透明衬底为树脂板。
较佳的,所述阵列基板还包括:覆盖在所述多个像素单元上的钝化层。
本实用新型OLED显示装置,包括上述任意一种阵列基板。
本实用新型有益效果如下:通过将驱动芯片设置在薄膜晶体管基板的底面,使得在OLED显示装置内部的有限空间内能够放置较多的驱动芯片,从而使驱动芯片有足够的驱动能力来驱动像素单元,使OLED显示装置显示的画面亮度更加均匀。
附图说明
图1为本实用新型实施例提供的阵列基板的结构示意图;
图2为本实用新型实施例提供的阵列基板的像素单元的结构示意图;
图3为像素单元和驱动芯片的连接的结构示意图。
附图标记:
10-薄膜晶体管基板 11-透明衬底 12-像素单元
20-薄膜晶体管 21-有源层 22-栅极
23-源极 24-漏极 25-过孔
26-导电物质 27-栅绝缘层 30-像素电极
40-驱动芯片
具体实施方式
为了提高OLED显示装置的驱动能力,使OLED显示装置显示的画面亮度更加均匀。本实用新型实施例提供了一种阵列基板,通过将多个驱动芯片任意设置在薄膜晶体管基板的底面上,有效的提高了OLED显示装置的驱动能力,使OLED显示装置的画面亮度更加均匀。为了使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚,以下举实施例对本实用新型作进一步详细说明。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





