[实用新型]一种石墨板有效
申请号: | 201320064725.8 | 申请日: | 2013-02-04 |
公开(公告)号: | CN203071117U | 公开(公告)日: | 2013-07-17 |
发明(设计)人: | 王家道;曾德栋;蔡少坤;傅登峰;吴卫平;付志强;朱志文 | 申请(专利权)人: | 海南英利新能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/67 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 魏晓波 |
地址: | 570000 海南省海口市国*** | 国省代码: | 海南;66 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 石墨 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池技术领域,特别涉及一种石墨板。
背景技术
太阳能是各种可再生能源中最重要的基本能源,生物质能、风能、海洋能和水能等都来自太阳能,广义地说,太阳能包含以上各种可再生能源。太阳能作为可再生能源的一种,则是指太阳能的直接转化和利用。通过转换装置把太阳辐射能转换成热能利用的属于太阳能热能利用技术,再利用热能进行发电的成为太阳能发电,也属于这一技术领域;通过转换装置把太阳辐射能转换成电能利用的属于太阳能管发电技术,光电转换装置通常是利用半导体器件的光伏效应原理进行光电转换,因此又称太阳能光伏技术。
在太阳能电池板生产过程中,PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition,等离子增强化学气相沉积)是一种太阳能电池生产制程中的镀膜方式,其工作原理为:借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。
石墨板是镀膜过程中用于承载硅片的载体,目前,镀膜使用的石墨板的边框为实体结构。在镀膜沉积过程中,由于沉积物的总量是一定的,当边框为实体结构,使得大部分沉积物沉积在石墨板的实体边框上,而只有小部分沉积在硅片上,这导致靠近边框的位置处沉积速率较低,沉积物相对较少。上述问题导致靠近边框位置处的镀膜的膜厚相对较薄,出现红边问题,即整个电池片产生色差,且均匀性较差,影响电池片的质量。
因此,如何提供一种石墨板,以提高加工后的太阳能电池片的质量,是本领域技术人员目前需要解决的技术问题。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种石墨板,以提高加工后的太阳能电池片的质量。
为解决上述技术问题,本实用新型提供如下技术方案:
一种石墨板,包括用于卡设太阳能电池片的边框,其中,所述边框中至少有一条实体边上开设有若干通孔。
优选地,上述的石墨板中,所述通孔为方形孔、圆形孔或/和菱形孔。
优选地,上述的石墨板中,所述边框为长方形边框,且所述边框的四条实体边上均开设有所述通孔。
优选地,上述的石墨板中,所述边框的长边上沿长度方向开设有158mm*14mm的第一方形孔和69mm*22mm的第二方形孔。
优选地,上述的石墨板中,所述第一方形孔的长边和所述第二方形孔的长边均平行于所述边框的长边。
优选地,上述的石墨板中,所述第一方形孔为多个,且任一所述第一方形孔的中心到所述边框的长边外沿的距离均为74mm,所述第二方形孔为多个,且任一所述第二方形孔的中心到所述边框的长边外沿的距离均为41mm。
优选地,上述的石墨板中,所述边框的短边上开设有158mm*14mm的第三方形孔,且所述第三方形孔的长边平行于所述边框的短边。
优选地,上述的石墨板中,所述第三方形孔为多个,且任一所述第三方形孔的中心到所述边框的短边的外沿的距离均为36mm。
优选地,上述的石墨板中,所述通孔沿所述边框均匀分布。
从上述的技术方案可以看出,本实用新型提供了一种石墨板,包括用于卡设太阳能电池片的边框,其中,该边框中至少有一条实体边上开设有若干通孔。本实用新型通过在边框上开设若干通孔,使得在沉积物沉积过程中,大部分沉积物沉积在硅片上,相应地,小部分沉积物沉积在边框上,从而避免了因靠近边框位置处的镀膜的膜厚相对较薄,而出现的红边问题,即减低了整个电池片产生的色差问题,因而提高了电池片的质量。
附图说明
图1为本实用新型实施例提供的石墨板的结构示意图。
具体实施方式
本实用新型核心是提供一种石墨板,以提高加工后的太阳能电池片的质量。
为了使本技术领域的人员更好地理解本实用新型方案,下面结合附图和实施方式对本实用新型作进一步的详细说明。
请参考图1所示,本实用新型公开了一种石墨板,包括用于卡设太阳能电池片的边框1,其中,该边框1中至少有一条实体边上开设有若干通孔。
本实用新型通过在边框1上开设若干通孔,使得在沉积物沉积过程中,大部分沉积物沉积在硅片上,相应地,小部分沉积物沉积在边框1上,从而避免了因靠近边框1位置处的镀膜的膜厚相对较薄,而出现的红边问题,即降低了整个电池片产生的色差问题,因而提高了电池片的质量。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的