[实用新型]一种薄膜晶体管和液晶显示器

说明书

技术领域

本实用新型属于液晶显示器领域，尤其涉及一种薄膜晶体管和液晶显示器。 

背景技术

随着信息化社会的高度发展，用于人-机联系的显示越来越重要了。由于计算机趋向于小型化，因此，与计算机连接的显示器件也要求体积小、重量轻、耗电少，即越来越需要轻薄便携式的显示设备，而当前最成熟的产品就是薄膜晶体管液晶显示器了。 

薄膜晶体管液晶显示器包括薄膜晶体管阵列基板、彩膜基板以及夹在前述两片基板中间的液晶层，其中薄膜晶体管阵列基板包括薄膜晶体管。液晶显示器的结构如图1所示，薄膜晶体管101（Thin Film Transistor，简称TFT）、数据线102、扫描线103、像素电极104，其中图1沿AA'方向的剖面图如图2所示，包括硅岛201、数据线202、扫描线203、保护层206和玻璃基板207，数据线202与薄膜晶体管的栅极电连接，扫描线203与薄膜晶体管的源极电连接；而图1沿BB'方向的剖面图如图3所示，包括硅岛301、数据线302、像素电极304、保护层306和玻璃基板307。在液晶显示器工作的过程中，扫描线打开薄膜晶体管；数据线可通过薄膜晶体管将信号传输至像素电极；在扫描线关闭期间，像素电极的电量存储在与通用电极构成的存储电容中，最终达到显示画面的目的。由此可见，薄膜晶体管在液晶显示器工作的过程中相当于开关，用于控制源极与漏极的导通，其具体结构会影响液晶显示器的性能。 

随着TFT液晶显示器的发展，像素较大的TFT产品成为一个新的发展趋势，而针对像素较大的TFT产品，现有技术中的TFT结构的显示效果较差，而且对集成电路（integrated circuit，简称IC）的驱动能力的要求较高，且充电能力较弱，性能较差。 

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供一种薄膜晶体管，此种薄膜晶体管的显示效果好，对集成电路的驱动能力要求较低，并且充电能力强。 

为实现上述目的，本实用新型实施例提供了如下技术方案： 

一种薄膜晶体管，包括：源极和漏极，且所述漏极的至少两个侧面被所述源极包围。 

优选的，当所述漏极的三个侧面被所述源极包围时，所述源极为U型结构，所述漏极位于所述源极中间。 

优选的，当所述漏极的两个侧面被所述源极包围时，所述源极为L型结构，所述漏极位于所述源极的内侧。 

优选的，所述源极和所述漏极的材料均为钼。 

优选的，所述漏极的宽度为4μm～6μm，包括端点值。 

优选的，所述薄膜晶体管还包括：栅极，位于栅极表面上的栅极绝缘层和位于栅极绝缘层表面上的硅岛，且所述硅岛包括第一硅岛层、位于第一硅岛层表面上的第二硅岛层；且所述第一硅岛层的材料为N型本征非晶硅，所述第二硅岛层的材料为N型重掺杂的非晶硅。 

本实用新型还提供了一种液晶显示器，所述液晶显示器包括以上任一项所述的薄膜晶体管。 

与现有技术相比，本实用新型实施例具有以下优点： 

本实用新型提供的薄膜晶体管的漏极的至少两个侧面被所述源极包围，也即漏极至少有两个侧面都能与源极构成沟道。那么在漏极的面积保持不变的情况下，源极与漏极构成的沟道宽度就会增加，使得沟道的宽度和长度的宽长比升高，又因为薄膜晶体管的充电电流与沟道的宽长比成正比关系，因此沟道的宽长比升高后，薄膜晶体管的充电能力就会增强，使得液晶显示器具有较好的充电能力。 

另一方面，在漏极的至少两个侧边被源极包围的前提下，若保持源极和漏极之间的沟道宽度和漏极的宽度均不变，漏极的表面积就会减小，也即漏 极和栅极之间的栅漏电容的面积就会减小，降低了薄膜晶体管的栅漏电容，进而降低薄膜晶体管的馈通电压，使得薄膜晶体管对集成电路的要求降低。 

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。 

图1为传统的液晶显示器的平面图； 

图2为传统的液晶显示器的沿AA'方向的剖面图； 

图3为传统的液晶显示器的沿BB'方向的剖面图； 

图4为传统的薄膜晶体管的平面图； 

图5为本实用新型实施例一提供的一种薄膜晶体管的俯视图； 

图6为本实用新型实施例一提供的一种薄膜晶体管的剖面图；