[实用新型]铝基板及使用该铝基板的LED光源

说明书

技术领域

本实用新型涉及LED技术领域，具体的说是一种铝基板及使用该铝基板的LED光源。

背景技术

将多个LED芯片集成在一个线路板上称为集成芯片，LED集成芯片正越来越广泛地应用到LED照明光源中。LED集成芯片中常用到铝基板，现有的LED照明铝基板一般以铝底板作为衬底，在衬底上面涂覆树脂类材料作为绝缘层，再在绝缘层上覆盖铜箔作为导电层。由于其绝缘层能耐高压(＞1500V/min)及衬底散热性较佳，所以被广泛应用在LED光源领域。

其应用方式为在铝底板上按照传统单层印刷线路板的制造方式将铜箔用丝网印刷及蚀刻方式形成电路，再将防焊层覆盖在铝底板上，仅裸露出需要焊接部位的铜箔即成。这种采用传统方式制造的铝基板，由于该电路上所形成的电极工艺精度较低，难以采用倒装和垂直结构等芯片进行集成芯片封装，并且由于导热绝缘层反射率较低，不利于提高芯片出光效率。

同时，由于难以精确控制导热绝缘层的厚度，为了保证其耐压性能，必须对绝缘层的厚度留有较大余量，一般绝缘层的厚度在80～100μm，因此绝缘层的厚度较大，而树脂的导热系数较小，通常为1-2.0W/(m·K)，因此其导热及散热效果大大降低。

实用新型内容

本实用新型的其中一目的在于提供了一种铝基板。

本实用新型的另一目的在提供一种使用上述铝基板的LED光源。

为了达到上述目的，本实用新型采用了如下的技术方案：

一种铝基板，包括铝底板，所述铝底板表面自上而下依次设有导电金属层、金属氧化物绝缘层、金属薄膜层；该导电金属层上设有导电线路及LED芯片的固晶功能区。

作为本实用新型的优选技术方案，所述金属氧化物绝缘层上设有一金属缓冲层，该导电金属层设置在该金属缓冲层上。

作为本实用新型的优选技术方案，所述金属缓冲层为钨、钼、钛、铜或其中两种金属所组成的合金材料，其厚度为30-100nm。

作为本实用新型的优选技术方案，所述导电金属层上设有焊线功能区，该焊线功能区上设置有金或银材料的焊接层。

作为本实用新型的优选技术方案，所述导电金属层包括第一导电金属层及覆盖在该第一导电金属层上的第二导电金属层。

作为本实用新型的优选技术方案，所述第一导电金属层的厚度为30-80nm，该第二导电金属层的厚度0.01-0.5mm。

作为本实用新型的优选技术方案，所述金属氧化物绝缘层为透明的金属氧化物绝缘层，该金属氧化物绝缘层的厚度为0.1-100um。

作为本实用新型的优选技术方案，所述固晶功能区上设置有金、银或金锡合金材料的固晶层。

使用上述铝基板的LED光源，包括铝底板、LED芯片，所述铝底板表面自上而下依次设有导电金属层、金属氧化物绝缘层、金属薄膜层；该导电金属层上设有导电线路及LED芯片的固晶功能区；

所述LED芯片为正装、倒装或垂直结构的LED芯片，其固定在该导电金属层上的固晶功能区，该LED芯片的电极与该导电金属层上的导电线路电连接，该导电金属层上还设有一保护层，该保护层将该LED芯片覆盖。

与现有技术相比，本实用新型在铝底板的表面设置金属氧化物绝缘层及导电金属层，使得金属氧化物绝缘层的厚度可以精确控制，适合正装、倒装或垂直结构芯片封装工艺要求，在满足耐高压的情况下，可尽量减少导热绝缘层的厚度，有利于LED光源的小型化。

同时，所述金属氧化物绝缘层的导热系数高，使得基板具有优异的导热性能，本实用新型所述的铝基板的整体热阻是传统铝基板的热阻的1/80～1/200，基板的导热、散热性能好，能够延长LED芯片的使用寿命。

而且，LED芯片与基板间通过一次封装就能够实现LED芯片之间的串并联组合关系，直接接于驱动电路就可以发光工作，简化了封装的工艺步骤，节省了半导体材料，节约了成本，使得生产效率大幅提高。

附图说明

图1为本实用新型中铝基板的结构示意图。

图2为本实用新型中正装结构的LED芯片安装于铝基板的结构示意图。

图3为本实用新型中倒装结构的LED芯片安装于铝基板的结构示意图。

具体实施方式

请参阅图1，图中所示的铝基板包括铝底板101，该铝底板101的表面自上而下依次设有导电金属层、透明的金属氧化物绝缘层103、金属薄膜层102；该导电金属层包括第一导电金属层105及覆盖在该第一导电金属层105上的第二导电金属层106，该第二导电金属层106上设有用于与LED芯片连接的导电线路（图未示）及固定LED芯片的固晶功能区107。