[实用新型]一种OLED面板封装结构有效
申请号: | 201320052842.2 | 申请日: | 2013-01-30 |
公开(公告)号: | CN203242626U | 公开(公告)日: | 2013-10-16 |
发明(设计)人: | 唐凡;高昕伟;邹成;李园利;高娟 | 申请(专利权)人: | 四川虹视显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人: | 周永宏 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 面板 封装 结构 | ||
技术领域
本实用新型属于有机发光二极管(OLED)显示技术领域,涉及OLED的封装,尤其涉及一种尺寸较大的OLED面板的封装结构及封装方法。
背景技术
有机电致发光二极管(OLED)显示器以其全固态、主动发光、高亮度、高对比度、超薄超轻、低功耗、无视角限制以及工作温度范围广等特性,被认为是下一代的平面显示器新兴应用技术。然而,OLED显示器的部分结构尤其是位于其中的电极和有机材料对于诸如氧气和湿气的外部环境因素极敏感,在实际使用中需要对器件加以封装使器件与水蒸汽和氧气隔绝以延长OLED的使用寿命,如果封装不好,元件就会出现因氧化所产生的黑点,并且黑点随时间的增加会迅速扩大,最终导致整个器件损坏,影响器件的使用寿命。因此,对OLED器件良好的封装是延长OLED器件寿命的最重要方式。
传统的有机发光二极管封装多采用中央镂刻的封装盖为盖板,并在封装盖内表面贴敷吸湿材料,封装盖的边缘涂布UV树脂,通过紫外光照射固化粘结盖板和基板形成一密闭空间,达到阻隔水蒸气和氧气的目的。尽管这种密封方法通常能提供良好的机械强度,但是在很多环境下,这些密封未能提供足够的对水蒸汽和氧气的阻隔能力。另一种用来密封有机发光二极管器件的常用方法是采用有机材料无机材料交替沉积的方式的薄膜封装,但是这种封装设备昂贵且工艺复杂。
采用熔接玻璃料密封是又一种OLED器件的封装方法,该方法具有优异的密封性能,能在85℃、85%相对湿度条件下,在7000小时内保持密封性能,远远大于现有UV树脂密封性能。典型熔接玻璃料封装结构如附图1a所示,包括基板11、电极12、有机发光二极管13、盖板14和玻璃料15,其中玻璃料为沿盖板或基板一周的闭环形状,玻璃料15宽度(闭环状玻璃料内外壁之间的距离)约为1~2mm,高度(高度等于封装后基板和盖板相对面之间的距离)约为6~100um。如图1b所示,对于较大尺寸(通常不小于10寸)的有机发光二极管面板,在面板的使用过程中,当盖板14和/或基板11受到自身重力或外力局部挤压而弯曲的时候,会使玻璃盖板14和基板11上的有机发光二极管13接触,从而使有机发光二极管13受到挤压而损坏。
并且在传统的玻璃料封装方法中,采用的是丝网印刷的方式在盖板边缘沉积一层宽度约为1~2mm,厚度约为6~100um的低软化点玻璃粉,然后经过预烘烤,除去玻璃粉中的有机物使玻璃粉固化,然后通过激光能量使玻璃料熔化粘结基板和盖板形成玻璃料15。用以上传统的方法,几乎不能得到数毫米厚度的低软化点玻璃粉层,而且在预烘烤后,玻 璃粉中会有很多孔洞存在;由于低软化点玻璃粉中混有特定激光吸收的物质,激光照射的时候,随着玻璃粉层厚度的增加,激光的能量逐渐减弱,对于较厚的玻璃墙,将导致激光不能熔化所有的玻璃粉(大部分孔洞不能消除),从而使得到的玻璃料15中会有大量的孔洞存在,提供了水汽和氧气的渗透进器件内部的通道,使得器件寿命大大降低。
实用新型内容
本实用新型针对现有的OLED面板封装结构应用于大面积显示面板(不小于10寸)封装中存在的封装盖板和/或基板在受到外力挤压或者自身重力变形时压坏有机发光二极管和/或连接电极的问题,提出了一种OLED面板封装结构以及形成该封装结构的封装方法。
本实用新型的技术方案是:一种OLED面板封装结构,包括基板、连接电极、有机发光二极管和盖板,其中,连接电极和有机发光二极管形成于基板上;
其特征在于,该封装结构还包括玻璃墙,所述玻璃墙呈闭环状,外形与盖板边缘外形一致,且该玻璃墙包含低软化点光学玻璃;
所述基板与玻璃墙之间以及玻璃墙与盖板之间粘接在一起形成密闭空腔,连接电极和有机发光二极管位于该密闭空腔内。
一种上述基板与玻璃墙之间以及玻璃墙与盖板之间粘接方法是:用与激光吸收物质对应的激光照射玻璃墙并使玻璃墙与基板和盖板接触的两个表面熔化,熔化后的玻璃墙的表面分别与基板和盖板粘接在一起。
进一步的,上述玻璃墙高度为0.5~30mm,厚度为1~50mm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的