[实用新型]一种软启动开关电路有效

专利信息
申请号: 201320043165.8 申请日: 2013-01-25
公开(公告)号: CN203086432U 公开(公告)日: 2013-07-24
发明(设计)人: 王会峰;汪贵平;柴彩萍;王晓艳;关丽敏 申请(专利权)人: 长安大学
主分类号: H03K17/687 分类号: H03K17/687
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 汪人和
地址: 710064 陕西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 启动 开关电路
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及电子器件中为负载供电的开关电路,具体涉及一种软启动开关电路。

背景技术

目前使用的电子产品中大多开关都是纯机械的,该种电路中的启动与负载的大小有关系,当负载大时启动电流就比较大。这样电路的启动容易产生火花,开关的使用寿命减少,降低了产品品质的稳定性。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种软启动开关电路。

为达到上述目的,本实用新型采用了以下技术方案:

该开关电路包括机械微动按键开关、电压比较器、电压采样电路、PMOSFET管、钳位电路、嵌入式处理器以及采样控制电路,机械微动按键开关的一端接地,另一端与电压比较器的同相输入端相连,钳位电路与电压比较器的反相输入端相连,电压比较器的比较输出端与嵌入式处理器的输入端口相连,嵌入式处理器的输出端口与采样控制电路相连,电压采样电路包括采样电阻、第一电阻以及第二电阻,采样电阻的一端与PMOSFET管的源极相连,另一端与PMOSFET管的栅极相连,第一电阻的一端与电压比较器的同相输入端相连,另一端与PMOSFET管的栅极相连,第二电阻的一端与PMOSFET管的栅极相连,另一端与采样控制电路相连。

所述采样控制电路包括三极管,三极管的发射极接地,三极管的集电极与第二电阻相连。

所述采样控制电路还包括限流分压网络,限流分压网络包括第三电阻以及第五电阻,第三电阻的一端与嵌入式处理器的输出端口相连,另一端与三极管的基极相连,第五电阻的一端与三极管的基极相连,另一端与三极管的发射极相连。

所述采样控制电路还包括控制输出信号平滑网络,控制输出信号平滑网络包括第四电阻和第一电容,第四电阻的一端与嵌入式处理器的输出端口相连,另一端与第一电容的一端相连,第一电容的另一端与三极管的发射极相连。

所述开关电路还包括与电压比较器的同相输入端相连的消抖电路。

本实用新型所述开关电路利用PMOSFET管的特性,起到软启动开关的作用,该开关电路简单可靠,采用半导体材料,无机械触点部分,无火花产生,使用寿命长,不受外界温度影响,保证了产品质量的稳定性。

本实用新型的优点为:

1.提高了元器件的使用寿命,更好的确保了产品品质的稳定性。

2.对输入电压无要求,在输入电压较高时此电路也能正常工作。

3.引入直流偏置电压,优化晶体管的静态特性。

4.电路简单、容易实现。

5.成本较低。

6.操作简单,电源与负载的通断都是一个键完成。

附图说明

图1为本实用新型所述开关电路的结构示意图;

GND为电源地,VCC为工作电源,5为电压比较器的同相输入端,6为电压比较器的反相输入端,7为电压比较器的比较输出端。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明。

参见图1,本实用新型所述开关电路包括机械微动按键开关、电压比较器、电压采样电路、PMOSFET管、钳位电路、嵌入式处理器以及采样控制电路,机械微动按键开关的一端接地,另一端与电压比较器的同相输入端相连,钳位电路与电压比较器的反相输入端相连,电压比较器的比较输出端与嵌入式处理器的输入端口相连,嵌入式处理器的输出端口与采样控制电路相连,电压采样电路包括采样电阻、第一电阻以及第二电阻,采样电阻的一端与PMOSFET管的源极相连,另一端与PMOSFET管的栅极相连,第一电阻的一端与电压比较器的同相输入端相连,另一端与PMOSFET管的栅极相连,第二电阻的一端与PMOSFET管的栅极相连,另一端与采样控制电路相连;所述采样控制电路包括三极管,三极管的发射极接地,三极管的集电极与第二电阻相连;所述采样控制电路还包括限流分压网络,限流分压网络包括第三电阻以及第五电阻,第三电阻的一端与嵌入式处理器的输出端口相连,另一端与三极管的基极相连,第五电阻的一端与三极管的基极相连,另一端与三极管的发射极相连;所述采样控制电路还包括控制输出信号平滑网络,控制输出信号平滑网络包括第四电阻和第一电容,第四电阻的一端与嵌入式处理器的输出端口相连,另一端与第一电容的一端相连,第一电容的另一端与三极管的发射极相连;所述开关电路还包括与电压比较器的同相输入端相连的消抖电路。

本实用新型的工作原理:

本实用新型所述开关电路利用PMOSFET管的特性,当Ugs>UT时,处于截止状态;当Ugs<UT时,处于导通状态,通过控制PMOSFET管的通断使电源与负载间导通或者断开,起到软启动开关的作用。

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