[实用新型]显示装置有效
申请号: | 201320043143.1 | 申请日: | 2013-01-25 |
公开(公告)号: | CN203055912U | 公开(公告)日: | 2013-07-10 |
发明(设计)人: | 张春兵;王峥;徐利燕;张红涛 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及显示领域,特别涉及一种显示装置。
背景技术
有源矩阵有机发光二极管(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode,简称为AMOLED)显示装置被称为下一代显示技术。因为AMOLED显示装置不管在画质、效能及成本上,先天表现都比薄膜场效应晶体管(Thin Film Transistor,简称为TFT)液晶显示装置有很多优势。
在显示效能方面,AMOLED显示装置反应速度较快、对比度更高、视角也较广,这些是AMOLED显示装置天生就胜过TFT液晶显示装置的地方;另外AMOLED显示装置具自发光的特色,不需使用背光源,因此比TFT液晶显示装置更能够做得轻薄,而且更省电;还有一个更重要的特点,不需使用背光源的AMOLED显示装置可以省下占TFT液晶显示装置30%~40%的背光源成本。
目前,AMOLED显示装置良率较低,以目前的良率,AMOLED显示装置的价格足足高出TFT液晶显示装置50%,这对客户大量采用的意愿,绝对是一个门槛。即AMOLED显示装置良率较低,导致AMOLED显示装置成本很高。
现有的AMOLED显示装置,如图1所示,包括面板100′,电路板200′和覆晶薄膜(Chip On Film,简写为COF)300′;如图2所示,所述面板100′包括基板110′和位于其一面的像素120′。所述覆晶薄膜300′将像素120′和电路板200′电路连接,为像素120′供电。这样的结构,电路板不可更换,因其连接着像素;导致在电路板损坏时,不能单独更换电路板。这样,导致AMOLED显示装置在在电路板损坏时,整个AMOLED显示装置都无法使用,也进一步导致AMOLED显示装置成本很高。
实用新型内容
本实用新型提供了一种显示装置,其可以单独更换电源发射单元,从而降低了显示装置的成本,增强了显示装置的实用效果。
为达到上述目的,本实用新型提供以下技术方案:
一种显示装置,包括面板,所述面板包括基板和设置于基板一面的像素,还包括:
可将磁能转换为电能的电源接收单元,所述电源接收单元设置在所述基板的另一面,且所述电源接收单元与像素电路连接;
可将电能转化为磁能的电源发射单元,所述电源发射单元与电源接收单元紧贴设置且可与电源接收单元产生互感。
优选地,所述电源接收单元包括自基板起依次排列的屏蔽层和电感层;其中,所述屏蔽层和电感层之间绝缘。
优选地,所述电源接收单元还包括磁芯层,所述磁芯层与电感层依次排列;其中,所述电感层和磁芯层之间绝缘。
优选地,还包括绝缘层,所述绝缘层设置在所述屏蔽层和电感层之间以及电感层和磁芯层之间。
优选地,所述电源发射单元是设置在印制电路板或柔性电路板上的电源发射单元。
优选地,所述屏蔽层是铝制屏蔽层。
优选地,所述电感层是铜制电感层。
优选地,所述绝缘层是氮化硅绝缘层。
优选地,所述磁芯层是锰锌铁氧体或镍锌铁氧体的磁芯层。
优选地,所述电源发射单元是电感线圈。
本实用新型提供的显示装置,电源发射单元与电源接收单元紧贴设置且之间可产生互感,通过互感,电源发射单元将电能转化为磁能,电源接收单元将磁能转化为电能,并为像素提供供电能。互感的能量转化方式,使得电源发射单元与电源接收单元之间只要紧贴设置即可,不需要其他的连接;这样,在电源发射单元损坏时,可以单独更换电源发射单元,从而降低了实用新型的显示装置的成本,增强了本实用新型的显示装置的实用效果。
附图说明
图1为现有的AMOLED显示装置的示意图;
图2为图1所示的AMOLED显示装置的面板的A-A剖视图;
图3为本实用新型的一个实施例的显示装置的示意图;
图4为图3所示显示装置的B-B剖视图;
图5为图4所示显示装置面板和电源接收单元的示意图。
主要元件附图标记说明:
现有技术:
100′面板,110′基板,120′像素,
200′电路板,300′覆晶薄膜;
本实用新型:
100面板,110基板,120像素,
200电源接收单元,210屏蔽层,220电感层,230磁芯层,240绝缘层,
300电源发射单元。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的