[实用新型]半桥补偿驱动装置和电子产品

说明书

技术领域

本实用新型涉及电子领域，特别涉及一种半桥补偿驱动装置和电子产品。

背景技术

现有技术中的半桥驱动芯片只可作为半桥驱动，不能作为全桥驱动，具有发热量大、功耗高的问题。

实用新型内容

本实用新型提供了一种可将半桥驱动芯片作为本桥驱动芯片使用，发热量小、功耗低的半桥补偿驱动装置和电子产品。

为解决上述问题，作为本实用新型的第一个方面，提供了一种半桥补偿驱动装置，包括：第一线圈连接端、第二线圈连接端、电源输入端、第一外接芯片半桥信号输入端、第二外接芯片半桥信号输入、第一三极管和第二三极管；第一外接芯片半桥信号输入端分别与第一三极管的集电极、第二三极管的集电极及第二外接芯片半桥信号输入连接；第一三极管的基极与第二三极管的集电极连接；第一三极管的集电极接地；第一三极管的发射极与电源输入端连接；第二三极管的基极与第一三极管的集电极连接；第二三极管的发射极与电源输入端连接；第一三极管的集电极与第一线圈连接端连接，第二三极管的集电极与第二线圈连接端连接。

进一步地，半桥补偿驱动装置还包括第一电阻，第二三极管的基极通过第一电阻与第一三极管的集电极连接。

进一步地，半桥补偿驱动装置还包括第二电阻，第一三极管的基极通过第二电阻与第二三极管的集电极连接。

进一步地，半桥补偿驱动装置还包括第一二极管和第二二极管，第一三极管的发射集通过第一二极管与第一三极管的集电极连接；第二三极管的发射集通过第二二极管与第二三极管的集电极连接。

进一步地，半桥补偿驱动装置还包括稳压管，第一外接芯片半桥信号输入端通过稳压管接地。

进一步地，半桥补偿驱动装置还包括第三电阻和电容，第一外接芯片半桥信号输入端依次通过第三电阻和电容接地。

作为本实用新型的第二个方面，提供了一种电子产品，包括半桥驱动芯片和半桥补偿驱动装置，该半桥补偿驱动装置是上述的半桥补偿驱动装置，半桥驱动芯片的一个半桥信号输出端与半桥补偿驱动装置的第一外接芯片半桥信号输入端连接，半桥驱动芯片的另一个半桥信号输出端与半桥补偿驱动装置的第二外接芯片半桥信号输入连接。

进一步地，电子产品是风扇。

本实用新型具有外围元件较小，电路导通压降很低的特点，解决了半桥驱动芯片只可作为半桥驱动，不能作为全桥驱动，具有发热量大、功耗高的问题。

附图说明

图1示意性地示出了本实用新型的电路图。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型的实施例进行详细说明，但是本实用新型可以由权利要求限定和覆盖的多种不同方式实施。

作为本实用新型的第一方面，提供了一种半桥补偿驱动装置。如图1所示，该半桥补偿驱动装置包括：第一线圈连接端、第二线圈连接端、电源输入端VCC、第一外接芯片半桥信号输入端、第二外接芯片半桥信号输入、第一三极管T1和第二三极管T2；第一外接芯片半桥信号输入端分别与第一三极管T1的集电极、第二三极管T2的集电极及第二外接芯片半桥信号输入连接；第一三极管T1的基极与第二三极管T2的集电极连接；第一三极管T1的集电极接地；第一三极管T1的发射极与电源输入端连接；第二三极管T2的基极与第一三极管T1的集电极连接；第二三极管T2的发射极与电源输入端连接；第一三极管T1的集电极与第一线圈连接端连接，第二三极管T2的集电极与第二线圈连接端连接，以驱动与第一线圈连接端、第二线圈连接端连接的马达的线圈COIL。

本实用新型利用半桥驱动芯片U1本身高低的时序，当半桥驱动芯片U1内第一开关单元IT1(例如为N-MOSFET或者NPN三极管等)导通工作时，第一开关单元IT1的集电极为低电平，将用于偏置的第二电阻R2接到第一三极管T1的基极，使第一三极管T1的EC极导通，经过线圈绕组到第一开关单元IT1变成全桥驱动。此时第一三极管T1的Vec≈0.2V，第一三极管T1与第二三极管T2的发射极接同一电位，这时第二三极管T2的EC极不能导通，因第一开关单元IT1工作而第二开关单元IT2此时不工作，(根据半桥驱动芯片U1本身的时序)。当第二开关单元IT2工作时，第一开关单元IT1截止，此时第二三极管T2经过线圈绕组到第二开关单元IT2。

本实用新型具有外围元件较小，电路导通压降很低的特点，解决了半桥驱动芯片只可作为半桥驱动，不能作为全桥驱动，具有发热量大、功耗高的问题。

优选地，半桥补偿驱动装置还包括第一电阻R1，第二三极管T2的基极通过第一电阻R1与第一三极管T1的集电极连接。