[实用新型]用于发光二极管的透明导电薄膜

说明书

技术领域

 本实用新型涉及光电技术领域，特别是用于发光二极管的透明导电薄膜。

背景技术

现有技术，在半导体制作工艺中，尤其是LED芯片技术中，通常在芯片外延片上按照一定的工艺沉积或溅射一定厚度的透明导电薄膜，透明导电薄膜普遍采用NiAu或者ITO。由于透明导电薄膜的导电性与透过率具有一定的矛盾，往往无法在获得较好的正向电压的同时再具有较好的芯片亮度。

发明内容

针对上述现有技术中存在的不足，本实用新型的目的是提供一种用于发光二极管的透明导电薄膜。它能在降低芯片正向电压的同时有效提高芯片亮度。

    为了达到上述发明目的，本实用新型的技术方案以如下方式实现：

用于发光二极管的透明导电薄膜，它置于发光二级管外延片的上表面。其结构特点是，所述透明导电薄膜从下至上包括接触层和主体层。接触层的载流子浓度高于主体层的载流子浓度，接触层的光吸收率高于主体层的光吸收率。

在上述透明导电薄膜中，所述透明导电薄膜采用ITO薄膜、NiAu薄膜或者ZnO薄膜。

在上述透明导电薄膜中，所述接触层的厚度在0.1纳米至100纳米之间，主体层的厚度在10纳米至10000纳米之间。

本实用新型由于采用了上述结构，其中的接触层由于载流子浓度高更易于与外延层形成欧姆接触；同时主体层厚度比接触层厚，光的吸收率小于接触层；能在降低芯片正向电压的同时有效提高芯片亮度。

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步说明。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图。

具体实施方式

参看图1，本实用新型透明导电薄膜置于发光二级管外延片1的上表面。透明导电薄膜从下至上包括接触层2和主体层3。接触层2的载流子浓度高于主体层3的载流子浓度，接触层2的光的吸收率高于主体层3的光的吸收率。接触层2的厚度在0.1纳米至100纳米之间，主体层3的厚度在10纳米至10000纳米之间。透明导电薄膜采用ITO薄膜、NiAu薄膜或者ZnO薄膜。

本实用新型中的外延片1可以是GaN外延片，也可以是其他发光材料的外延片。透明导电薄膜可以是采用蒸镀、溅射或者其他方法获得。

另外，本实用新型透明导电薄膜除包含接触层2、主体层3外，也可以含有其它层，如粗化层等。