[实用新型]周期性带枝节双环双开口结构的太赫兹波吸收器有效
| 申请号： | 201320022806.1 | 申请日： | 2013-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN203218411U | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 程伟;李九生 | 申请（专利权）人： | 中国计量学院 |
| 主分类号： | H01P1/20 | 分类号： | H01P1/20;G02B5/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 周期性 枝节 双开 结构 赫兹 吸收 | ||
1.一种周期性带枝节双环双开口结构的太赫兹波吸收器，其特征在于包括信号输入端(1)、带枝节双环双开口金属传输层(2)、基体(3)、金属层结构(4)；带枝节双环双开口金属传输层(2)与基体(3)相连，带枝节双环双开口金属传输层(2)包括N×N个带枝节双环双开口周期单元(5)；带枝节双环双开口周期单元(5)包括一个开口环结构(6)和带枝节开口环结构(7)；信号从信号输入端(1)输入，依次经过带枝节双环双开口金属传输层(2)、基体(3)、之后到金属层结构(4)，带枝节双环双开口金属传输层(2)实现对吸收频率的选择，金属层结构(4)实现对太赫兹波的吸收作用。
2.根据权利要求1所述的一种周期性带枝节双环双开口结构的太赫兹波吸收器，其特征在于所述的带枝节双环双开口金属传输层(2)的厚度为1～2μm。
3.根据权利要求1所述的一种周期性带枝节双环双开口结构的太赫兹波吸收器，其特征在于所述的基体(3)的厚度为300～350μm。
4.根据权利要求1所述的一种周期性带枝节双环双开口结构的太赫兹波吸收器，其特征在于所述的金属层结构(4)的厚度为1～2μm。
5.根据权利要求1所述的一种周期性带枝节双环双开口结构的太赫兹波吸收器，其特征在于相邻的所述带枝节双环双开口周期单元(5)的间距为10～12μm。
6.根据权利要求1所述的一种周期性带枝节双环双开口结构的太赫兹波吸收器，其特征在于所述的开口环结构(6)外半径为65～70μm，宽度为4～5μm，开口宽度为4～5μm。
7.根据权利要求1所述的一种周期性带枝节双环双开口结构的太赫兹波吸收器，其特征在于所述的带枝节开口环结构(7)外半径为30～35μm，金属宽度为4～5μm，开口宽度为4～5μm。
8.根据权利要求1所述的一种周期性带枝节双环双开口结构的太赫兹波吸收器，其特征在于所述的基体(3)的材料为高阻硅材料，带枝节双环双开口金属传输层(2)的材料为铜，金属层结构(4)的材料为铜。
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