[实用新型]一种可以双向使用的石墨舟有效
| 申请号: | 201320012481.9 | 申请日: | 2013-01-10 |
| 公开(公告)号: | CN203179852U | 公开(公告)日: | 2013-09-04 |
| 发明(设计)人: | 梁恩伟;王晨光;李国庆 | 申请(专利权)人: | 湖北弘元光伏科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 433000 *** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 可以 双向 使用 石墨 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种生产太阳能电池的工装夹具,尤其是涉及一种可以双向使用的石墨舟。
背景技术
太阳能电池又称为太阳能芯片或光电池,是一种利用太阳光直接发电的光电半导体薄片,只要其硅片上的P-N结被太阳光照到,形成新的空穴-电子对,在P-N结电场的作用下,生光空穴由P区流向N区,电子由N区流向P区,接通电路有形成电流,在物理学上称为太阳能光伏,简称光伏。硅片一般需要经过化学清洗、表面腐蚀、扩散制结、去边、去除背结、制作上下电极、表面镀减反膜等工序才能制得太阳能电池。
在太阳能电池制备过程中,镀减反膜大都采用PECVD(等离子体增强化学气相沉积法),它是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体,活性很强的等离子体在硅片上沉积而形成薄膜。镀膜采用的载片装置称为石墨舟(如图1所示),需镀膜的石墨舟在送入PECVD管内以后,PECVD后面的电极会插在石墨舟后面的两个电极孔内进行通电,进而进行硅片表面的镀膜。实际镀膜操作中,如果将石墨舟的方向装反送入PECVD炉内,因PECVD电极没有插入石墨舟,会因无法通电导致无法正常镀膜或者镀膜失败等问题,处理异常产品需要进行返工,不仅导致生产成本增加,还降低了产能。
发明内容
本实用新型目的是提供一种可以双向使用的石墨舟,以解决现有技术中石墨舟只有一侧设置有电极孔、误操作可能导致无法镀膜或镀膜失败、镀膜失败产品返工会增加企业生产成本、降低产能等问题。
为了解决上述技术问题,本实用新型采用的技术方案是:一种可以双向使用的石墨舟,包括阵列设置的舟片,所述舟片上设置有硅片放置位和电极片,各舟片上均穿置有固定舟片的陶瓷棒;石墨舟左右两侧均设置有与电极片连接的上电极孔、下电极孔。
作为优选,所述硅片放置位与水平面呈倾角设置。
作为优选,所述相邻的舟片之间的陶瓷棒上还套设有陶瓷套管。
本实用新型具有结构对称、设计新颖、方便可靠、可实施性强的特点,石墨舟左右两侧对称设计的上电极孔和下电极孔可以避免因石墨舟方向装反导致的无法正常镀膜或者镀膜失败,改进后的石墨舟不分正反面,消除了潜在的失效隐患,提高了镀膜产品的合格率。本实用新型可降低因石墨舟装反导致的镀膜不良,一定程度上降低了生产成本,提高率生产效率,具有很好的经济效益和推广价值。
附图说明
图1是现有的单侧设置有电极孔的石墨舟的结构示意图;
图2是本实用新型的结构示意图;
图3是图2的右视图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式,对本实用新型的技术方案作进一步具体的说明。
图2是本实用新型的结构示意图,图3图2的右视图。由图可知,该可以双向使用的石墨舟,包括阵列设置的舟片1,所述舟片1上设置有硅片放置位2和电极片11,硅片放置位2与水平面呈倾角设置。各舟片1上均穿置有固定舟片1的陶瓷棒3,相邻的舟片1之间的陶瓷棒3上还套设有陶瓷套管4,陶瓷套管4能保证各舟片1间距均匀。石墨舟左右两侧均设置有与电极片11连接的上电极孔5、下电极孔6。
该可以双向使用的石墨舟使用时,先将硅片摆放在硅片放置位2上,然后将石墨舟放入PECVD镀膜设备的工艺腔中,由于石墨舟两侧均设置有上、下电极孔(5、6),故不用考虑石墨舟的正反。当镀膜设备内部真空化后通入待反应气体,待反应气体在微波或射频的作用下形成等离子体,在硅片上沉积出所期望的薄膜,达到一定厚度后,即完成了硅片的镀膜作业。
最后,应当指出,以上具体实施方式仅是本实用新型较有代表性的例子。显然,本实用新型不限于上述具体实施方式,还可以有许多变形。凡是依据本实用新型的技术实质对以上具体实施方式所作的任何简单修改、等同变化与修饰,均应认为属于本实用新型的保护范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





