[实用新型]BSI图像传感器

说明书

技术领域

本实用新型属于半导体制造技术领域，具体涉及一种BSI图像传感器。

背景技术

随着芯片制造工艺和成像专用工艺的不断进步，促进了采用前面照度(FSI)技术的图像传感器的开发。FSI图像传感器如同人眼一样，光落在芯片的前面，然后通过读取电路和互连，最后被汇聚到光传感区中。FSI技术为目前图像传感器所采用的主流技术，具有已获证实的大批量生产能力、高可靠性和高良率以及颇具吸引力的性价比等优势，大大推动了其在手机、笔记本电脑、数码摄像机和数码相机等众多领域的应用。

随着电子行业向轻薄短小的发展趋势，相应的芯片封装也起了很大的变化。过去30年中，聚光技术和半导体制造工艺的创新对图像传感器像素尺寸（Pixel size）产生了重大影响。例如，最初便携式摄像机采用的图像传感器为2.5微米像素尺寸，而如今，手机相机中传感器的像素尺寸只有1.4微米。目前，市场对像素尺寸的需求小至1.1微米、甚至0.65微米。

而由于光波长不变，像素不断缩小，FSI图像传感器存在其物理局限性。为了解决这个问题，目前采用了背面照度(BSI，backside illumination)技术的图像传感器，如图1所示，从而有效去除了光路径上的读取电路和互连。BSI图像传感器拥有得到更高量子效率的潜在优势，前景十分诱人。

所述BSI图像传感器100，包括影像传感区1、互连层2、平坦层3，以及基底4。所述影像传感区1包括微透镜11、滤光片12、光传感区13，以及像素区14，所述光传感区13用于将光信号转换成电信号，其包括光电二极管，所述像素区用于将光电二极管转换的电信号放大后输出。 

然而，如果通过晶圆级封装工艺获得BSI图像传感器，则需要对BSI图像传感器晶圆封装体进行切割，这会使BSI图像传感器侧面的与影像传感区1连通的互连层2暴露于空气中，以至于外界水气容易侵蚀BSI图像传感器，影响BSI图像传感器的性能及信耐性。

发明内容

为解决上述技术问题，本实用新型的目的在于提供一种BSI图像传感器该BSI图像传感器可完全密封与图像传感区连通的互连层，避免了互连层直接与空气接触。

为实现上述实用新型目的，本实用新型提供一种BSI图像传感器，包括：

硅基底、透光基底、设置于所述硅基底和所述透光基底之间的互连层，所述互联层内设有与所述图像传感区配合的焊垫，其中，所述互连层包括暴露于空气中的互连层截面，所述BSI图像传感器还包括覆盖所述互连层截面的绝缘层。

作为本实用新型的进一步改进，所述BSI图像传感器的侧壁设有台阶，所述绝缘层覆盖所述台阶。

作为本实用新型的进一步改进，所述图像传感器还包括一设置于所述硅基底和所述透光基底之间的平坦层，所述平坦层包括暴露于空气中的平坦层截面，所述绝缘层覆盖所述平坦层截面。

作为本实用新型的进一步改进，所述互连层截面为在所述焊垫和所述BSI图像传感器的侧壁之间的凹槽开口内壁，所述凹槽开口贯穿所述互连层。

作为本实用新型的进一步改进，所述平坦层截面为在所述焊垫和所述BSI图像传感器的侧壁之间的凹槽开口内壁，所述凹槽开口贯穿所述平坦层。

为实现上述实用新型目的，本实用新型提供另一种BSI图像传感器，包括：

硅基底、透光基底、设置于所述硅基底和所述透光基底之间的互连层，所述互联层内设有与所述图像传感区配合的焊垫，其中，所述与焊垫连通的互连层由所述硅基底、透光基底和绝缘层密封。

作为本实用新型的进一步改进，所述BSI图像传感器的侧壁设有台阶，所述绝缘层覆盖于所述台阶。

作为本实用新型的进一步改进，所述BSI图像传感器还包括设于所述硅基底和所述透光基底之间的平坦层，所述平坦层与被密封的互连层配合的部分由所述硅基底、透光基底和绝缘层密封。

作为本实用新型的进一步改进，在所述焊垫和所述BSI图像传感器的侧壁之间设有凹槽开口，所述凹槽开口贯穿所述互连层，且所述凹槽开口内壁上设有所述绝缘层。

作为本实用新型的进一步改进，在所述焊垫和所述BSI图像传感器的侧壁之间设有凹槽开口，所述凹槽开口贯穿所述平坦层，且所述凹槽开口内壁上设有所述绝缘层。

与现有技术相比，本实用新型的BSI图像传感器的性能及信赖性较好。

附图说明

图1是现有的BSI图像传感器的中心部分结构示意图。

图2是本实用新型一实施方式中BSI图像传感器晶圆的结构示意图。

图3是本实用新型一实施方式中晶圆级封装基底的结构示意图。