[实用新型]一种甚低频大功率发射机

说明书

本实用新型涉及甚低频发射机技术领域，特别是涉及一种甚低频大功率发射机。 

如图1所示，现有甚低频大功率发射机由多单元逆变桥组成，该单元逆变桥选用MOSFET为主要功率开关器件。多个功率逆变器输出连接变压器，通过变压器耦合然后串联输出功率信号。每个单元逆变桥功率容量较小，只能最多输出5～10kW左右功率。要组成能够输出上百千瓦的的大功率甚低频发射机，需要数十个逆变桥单元。 

现有甚低频大功率发射机选用的功率器件（MOSFET）功率容量小，需要的器件数量繁多，从而体积庞大、笨重。 

本实用新型要解决的技术问题是提供一种甚低频大功率发射机，用以解决现有技术存在的上述问题。 

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种甚低频大功率发射机，包括若干个串联连接的单元逆变桥；串联的单元逆变桥输出通过调谐匹配网络连接至甚低频天线；所述单元逆变桥包括多个绝缘栅双极型晶体管IGBT。 

进一步，每个单元逆变桥包括四个IGBT，采用H桥式连接。 

进一步，四个IGBT，分别为第一IGBT、第二IGBT、第三IGBT和第四IGBT；其中，第一IGBT的发射极与第二IGBT的集电极连接，第三IGBT的 发射极与第四IGBT的集电极连接，第一IGBT的集电极与第三IGBT的集电极连接，第二IGBT的发射极与第四IGBT的发射极连接；从第一IGBT的发射极和第三IGBT的发射极输出。 

本实用新型有益效果如下： 

本实用新型的甚低频大功率发射机具有体积小、功率大、工作可靠等优点。 

本实用新型的甚低频大功率发射机具有体积小、功率大、工作可靠等优点。 

图1是现有发射机组成原理图； 

图2是本实用新型实施例中一种甚低频大功率发射机的原理图。 

以下结合附图以及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不限定本实用新型。 

本实用新型的目的是将IGBT（Insulated Grid Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管）用于甚低频大功率发射机通信领域；由IGBT器件设计出的甚低频大功率发射机功率放大器具有体积小，频率高（一般工业变频器的十倍以上），结构简单等特点。 

如图2所示，本实用新型实施例涉及一种甚低频大功率发射机，包括若干个串联连接的单元逆变桥；串联的单元逆变桥输出通过调谐匹配网络连接至甚低频天线；所述单元逆变桥包括多个绝缘栅双极型晶体管IGBT。每个单元逆变桥包括四个IGBT，采用H桥式连接，具体为：第一IGBT的发射极与第二IGBT的集电极连接，第三IGBT的发射极与第四IGBT的集电极连接，第一IGBT的集电极与第三IGBT的集电极连接，第二IGBT的发射极与第四IGBT的发射极连接；从第一IGBT的发射极和第三IGBT的发射极输出。 

在控制方式上，各个单元逆变桥受发信处理设备的信号控制，发送频率较高的甚低频调制信号。发信处理设备将报文信息调制，控制各个单元逆变桥工 作（断开或闭合），将信息进行功率放大，然后经调谐匹配网络与天线匹配，最后由天线辐射至空间，完成发信任务。甚低频大功率发射机所需要的单元逆变桥的个数根据发射机设计功率不同可以选定。 

选用IGBT器件组成的单元逆变桥在体积基本与现有的MOSFET组成的单元逆变桥相同的前提下，功率容量提高很大，单个逆变桥最大能够输出50kW以上。选用与现有甚低频大功率发射机相同数量的单元逆变桥数组成的发射机，采用本实用新型方案的发射机功率等级是现有功率发射机输出功率的10倍；反之，同样输出功率等级的前提下，本实用新型方案的发射机体积是现有发射机的体积的十分之一。 

本实用新型的甚低频大功率发射机具有体积小、功率大、工作可靠等优点。 

尽管为示例目的，已经公开了本实用新型的优选实施例，本领域的技术人员将意识到各种改进、增加和取代也是可能的，因此，本实用新型的范围应当不限于上述实施例。