[实用新型]一种延时复位电路及采用该电路的便携式终端有效

专利信息
申请号: 201320004916.5 申请日: 2013-01-06
公开(公告)号: CN202998033U 公开(公告)日: 2013-06-12
发明(设计)人: 颜再寒 申请(专利权)人: 深圳市中兴移动通信有限公司
主分类号: H03K17/22 分类号: H03K17/22
代理公司: 广东广和律师事务所 44298 代理人: 曹建军
地址: 518000 广东省深圳市南山区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 延时 复位 电路 采用 便携式 终端
【说明书】:

技术领域

实用新型属于电子电路领域,尤其涉及一种延时复位电路及采用该电路的便携式终端。

背景技术

随着便携式终端的功能越来越强大,其软件也日益复杂,从而便携式终端的死机也成为不可避免的问题。为了解决便携终端的死机问题,除了将软件设计得尽量完善外,在硬件上往往采取两种措施:

1、设计单独的复位键,其做法是:在外壳上开孔,当死机出现时,使用细长棒状物通过外壳的小孔触发复位键;2、电池设计为可拆卸,出现死机时,拆掉电池即可。

对于上述两种方式来说,现在不少便携式终端的电池设计为不可拆卸(为降低成本及减小厚度),而用户对使用细棒触发复位键的方式也难以接受。这样,就导致用户操作较麻烦并且用户体验较差。

实用新型内容

为了解决上述技术问题,本实用新型的目的在于提供一种延时复位电路。

本实用新型是这样实现的,一种延时复位电路,所述延时复位电路包括:一端接第一电源的第一电阻,所述第一电阻的另一端接第一MOS管、第三MOS管的栅极以及第一按键开关的一端,所述第一MOS管的漏极通过第二电阻接第二电源,所述第一MOS管的源极连接到延时控制电路/电容的一端,所述延时控制电路/电容的这一端还连接到第三MOS管的漏极以及第二MOS管的栅极,所述第三MOS管的源极通过第四电阻接地,所述第二MOS管的漏极通过第三电阻接第二电源并且通过第二MOS管的漏极输出复位信号,所述第一按键开关的另一端、延时控制电路/电容的另一端、第二MOS管的源极均接地。

进一步地,在所述第二电阻与第二电源之间还连接有第二按键开关。

进一步地,在所述延时控制电路/电容的另一端与地之间还连接了第三按键开关。

进一步地,在所述第二电阻与第二电源之间还连接有第二按键开关。

进一步地,第一MOS管和第二MOS管的控制方式相同,第一MOS管与第三MOS管的控制方式相反。

进一步地,所述第一MOS管,第二MOS管采用PMOS管,所述第三MOS管采用NMOS管。

本实用新型的另一目的在于提供一种便携式终端,所述便携式终端采用权利要求1-6中任一项所述的延时复位电路。

在本实用新型中,通过按键开关以及延时控制电路配合,通过采用便携式终端上已经具有的一些操作键,利用这些键中的任一个或多个按键组合进行长时间按下操作,配合本电路,在系统死机时,可实现延时复位功能。不仅可以实现复位,而且用户操作较简单,用户体验较好。

附图说明

图1是本实用新型第一实施例提供的单按键开关的延时复位电路的电路图;

图2是本实用新型第二实施例提供的单按键开关的延时复位电路的电路图;

图3是本实用新型第三实施例提供的双按键开关的延时复位电路的电路图;

图4是本实用新型第四实施例提供的双按键开关的延时复位电路的电路图;

图5是本实用新型第五实施例提供的双按键开关的延时复位电路的电路图;

图6是本实用新型第六实施例提供的双按键开关的延时复位电路的电路图;

图7是本实用新型第七实施例提供的三按键开关的延时复位电路的电路图;

图8是本实用新型第八实施例提供的三按键开关的延时复位电路的电路图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。

参阅图1,2,示出了本实用新型第一、二实施例提供的单按键开关的延时复位电路的电路。

该延时复位电路包括:一端接第一电源(图中的VBAT1)的第一电阻(R1),所述第一电阻(R1)的另一端接第一MOS管(T1)、第三MOS管(T3)的栅极以及第一按键开关(K)的一端。所述第一MOS管(T1)的漏极通过第二电阻(R2)接第二电源(VBAT2),所述第一MOS管(T1)的源极连接到延时控制电路/电容(C1)的一端。所述延时控制电路/电容(C1)的这一端还连接到第三MOS管(T3)的漏极以及第二MOS管(T2)的栅极,所述第三MOS管(T3)的源极通过第四电阻(R4)接地。所述第二MOS管(T2)的漏极通过第三电阻(R3)接第二电源(VBAT2)并且通过第二MOS管(T2)的漏极输出复位信号。所述第一按键开关(K)的另一端、延时控制电路/电容(C1)的另一端、第二MOS管(T2)的源极均接地。

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