[发明专利]有机发光二极管显示装置及其制造方法

说明书

技术领域

本申请涉及一种有机发光二极管显示装置及其制造方法。

背景技术

近来，相对于阴极射线管(CRT)的缺点，具有减少的重量和体积的平板显示装置得到了发展。该平板显示装置包括液晶显示(LCD)装置、场发射显示(FED)装置、等离子体显示板(PDP)、有机发光二极管显示(OLED)装置等。

OLED装置是使用介于电极之间的薄发光层的自发光装置。因而，OLED装置可以变得比纸更薄。这样的OLED装置穿过基板发射光并显示图像。为此目的，OLED装置包括配置有多个像素区域、单元驱动阵列以及有机发光阵列的封装的基板。多个像素区域各自包括三种颜色的(即，红色、绿色和蓝色)子像素。此外，多个像素区域排列为矩阵形状。

为了实现各种颜色，OLED装置采用发射红色、绿色和蓝色光的有机发光层。每个有机发光层插入在两个电极之间并且形成有机发光二级管(OLED)。

而且，OLED装置包括用于传输视频信号的多条数据线、用于传输驱动信号的多条选通线以及用于将电源电压传输给有机发光二极管的多条电源线。多条数据线、选通线以及电源线互相交叉并限定多个像素区域。而且，OLED装置包括开关薄膜晶体管、驱动薄膜晶体管、存储电容器以及布置在各个像素区域中的有机发光二级管OLED。

由于最近对于高清晰度和高速响应特性的需求，OLED装置中的像素区域必须是狭窄的。因而，该像素区域难以确保足够的开口率。而且，高速响应要求在OLED装置中使用薄膜晶体管。而且，为了增强图片(或图像)质量，必须在该像素区域中布置能够充分地存储数据信号(或视频信号)的高容量存储电容器。

然而，为了给像素区域提供高电容，存储电容器的电极面积必须扩大。因而，像素区域的开口率与此相反地减小。因此，需要开发实现确保像素区域的足够开口率的大容量存储电容器的技术。

发明内容

因此，本申请的致力于在OLED装置及其制造方法上，其基本上消除了归因于相关技术的限制和缺点的一个或多个问题。

实施方式提供了一种OLED装置及其制造方法，其通过在像素区域中形成具有双栅极结构的薄膜晶体管适合于实现具有高速响应特性的开关元件。

而且，实施方式提供OLED装置及其制造方法，通过在像素区域中的存储电容器区域中堆叠多个存储电极，其适合于实现相对于占用面积来说更大的存储电容。

实施方式的附加特征和优点将在随后的说明书中阐明，并且部分将从说明书中展现，或可通过实施方式的实践了解。实施方式的优点将通过在撰写的说明书及其权利要求以及附图中特别指出的结构来实现和完成。

根据本实施方式的总的方面，OLED装置包括：扫描线、数据线和电源线，所述扫描线、数据线和电源线彼此交叉并且被布置为限定像素区域；开关薄膜晶体管，所述开关薄膜晶体管被布置在所述扫描线和所述数据线的交叉处；有机发光二极管，所述有机发光二极管被布置在所述像素区域中；驱动薄膜晶体管，所述驱动薄膜晶体管被布置在所述电源线和所述有机发光二极管之间；以及存储电容器，所述存储电容器被布置为临近所述有机发光二极管并被配置为充入由所述数据线施加的数据信号。所述存储电容器包括多个子存储电容器，在所述多个子存储电容器中多个存储电极被彼此交替地堆叠。

根据本实施方式的另一个总的方面，一种OLED装置的制造方法包括：制备基板，在所述基板中限定了有机发光二极管区域和存储电容器区域；在所述基板上形成第一栅极和第一存储电极；在设置有所述第一栅极的所述基板上顺序地形成第一栅极绝缘膜和氧化物半导体层；在所述第一栅极绝缘膜上形成与所述第一栅极相对的沟道层，并且在所述第一栅极绝缘膜上形成与所述第一存储电极相对的第二存储电极；在设置有所述沟道层的所述基板上顺序地形成第二栅极绝缘膜和金属膜；在所述第二栅极绝缘膜上形成与所述沟道层相对的第二栅极，并且在所述存储电容器区域中在所述第二栅极绝缘膜上形成与所述第二存储电极相对的第三存储电极；在设置有所述第二栅极的所述基板上形成层间绝缘膜；针对所述层间绝缘膜执行接触孔形成处理；形成与所述沟道层电连接的源极和漏极，并且在所述层间绝缘膜上形成与所述第三存储电极相对的第四存储电极；在设置有所述源极和漏极的所述基板上形成钝化膜；以及在所述钝化膜上形成与所述第四存储电极相对的第五存储电极。