[发明专利]非易失性存储器装置及其操作和制造方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器装置，其特征在于，包括：

一井区，设置在一基底中；

多条第一字符线和多条第二字符线，设置在所述基底上，周期性地布置且在一第一方向上延伸；

多个多晶硅层间介电膜，设置在所述基底上且分别位于所述多条第一字符线和所述多条第二字符线下方；

多个浮置栅极，设置在所述井区与所述多个多晶硅层间介电膜之间；以及

多个穿隧氧化物膜，设置在所述井区与所述多个浮置栅极之间，

其中从所述第一字符线到所述基底的一第一距离小于从所述第二字符线到所述基底的一第二距离。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其特征在于，从所述第一字符线的顶部到所述基底的一第三距离小于或等于从所述第二字符线的底部到所述基底的一第四距离。

3.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其特征在于，所述多个多晶硅层间介电膜包括：

多个第一多晶硅层间介电膜，设置在所述基底上且分别位于所述第一字符线下方；以及

多个第二多晶硅层间介电膜，设置在所述基底上且分别位于所述第二字符线下方，

其中所述多个第一多晶硅层间介电膜的厚度小于所述多个第二多晶硅层间介电膜的厚度。

4.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其特征在于，所述多个浮置栅极包括：

多个第一浮置栅极，设置在所述基底上且分别位于所述多条第一字符线下方；以及

多个第二浮置栅极，设置在所述基底上且分别位于所述多条第二字符线下方，

其中所述多个第一浮置栅极的厚度小于所述多个第二浮置栅极的厚度。

5.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其特征在于，还包括：

多条比特线，设置在所述第一字符线和所述第二字符线上方，且沿着与所述第一方向不同的一第二方向延伸。

6.根据权利要求5所述的非易失性存储器装置，其特征在于，所述多条比特线包括多条第一比特线和多条第二比特线，且从所述第一比特线到所述基底的一第五距离小于从所述第二比特线到所述基底的一第六距离。

7.一种用于操作非易失性存储器装置的方法，其特征在于，所述非易失性存储器装置具有：一基底、一井区、多个第一多晶硅层间介电膜、多个第二多晶硅层间介电膜、设置在所述基底上的多条第一字符线和多条第二字符线，以及一穿隧氧化物膜，且从所述第一字符线到所述基底的一第一距离小于从所述第二字符线到所述基底的一第二距离，所述方法包括：

将一第一操作电压施加到所述第一字符线中的至少一者；以及

将一第二操作电压施加到所述第二字符线中的至少一者。

8.根据权利要求7所述的用于操作非易失性存储器装置的方法，其特征在于，

所述第一操作电压包括一第一程序化电压、一第一抹除电压、一第一导通电压或一第一读取电压；以及

所述第二操作电压包括一第二程序化电压、一第二抹除电压、一第二导通电压或一第二读取电压。

9.根据权利要求8所述的用于操作非易失性存储器装置的方法，其特征在于，还包括用于程序化所述非易失性存储器装置的以下步骤：

将所述第一程序化电压施加到所述第一字符线中的至少一者；以及

将所述第二程序化电压施加到所述第二字符线中的至少一者；

所述第一程序化电压和所述第二程序化电压满足以下方程式：

C_rAV_PGM-A=C_rBV_PGM-B，

其中V_PGM-A是施加到所述第一字符线中的至少一者的所述第一程序化电压，V_PGM-B是施加到所述第二字符线中的至少一者的所述第二程序化电压，C_rA是由所述第一多晶硅层间介电膜的电容与所述第一多晶硅层间介电膜和所述穿隧氧化物膜的电容的总和的比率确定的一第一电容耦合比，且C_rB是由所述第二多晶硅层间介电膜的电容与所述第二多晶硅层间介电膜和所述穿隧氧化物膜的电容的总和的比率确定的一第二电容耦合比。