[发明专利]一种像素单元结构、阵列基板结构及液晶显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示装置制作领域，尤其涉及一种像素单元结构、阵列结构及液晶显示装置。

背景技术

随着科技的飞速发展，电子产品显示装置的性能得到了大幅度提高，各种大尺寸、高分辨率显示装置得到了广泛应用。

目前，显示装置通常采用TN（Twisted Nematic，扭曲向列）显示模式、ADS（ADvanced Super Dimension Switch，高级超维场转换技术）显示模式以及FFS（Fringe Filed Switching；边缘场开关技术）显示模式。

FFS显示模式因其视角大、透光率高等优点备受市场青睐。但是现有技术中的FFS显示模式中，像素单元在远离TFT（Thin Film Transistor，薄膜场效应晶体管）一侧的处会发生显示异常。图1为现有技术中FFS显示模式的一个像素单元的发光模拟图，如图1所示，条状的电极一端和TFT12连接，另一端向反方向延伸。在像素单元远离TFT12的一侧于黑色区域11存在，该黑色区域11就是显示异常的区域，降低了显示的效果。

发明内容

发明人经过研究发现，在FFS显示模式中，像素单元在远离TFT一侧处发生显示异常是由以下原因造成的。

参阅图2A和图2B，图2A为现有技术的FFS驱动模式的一个像素单元的俯视结构图，在FFS驱动模式的像素单元中，包括公共电极10以及像素电极20，其中，像素电极20包括多个条状电极200。图2B为图2A中沿AA′的截面示意图。如图所示，在FFS驱动模式的像素单元中，包括公共电极10、像素电极20，以及夹杂在公共电极10和像素电极20之间的第一绝缘层30，其中，该像素电极20包括多条条状电极200。

参阅图2A所示，当对FFS驱动模式的像素单元输入电信号时，像素电极20的各个条状电极200和公共电极10之间将形成x方向电场Ex，而在上述像素电极20的条状电极200末端由于除x方向电场外的其他电场无法被抵消，因此，在像素电极20的条状电极200末端存在各个方向的电场E。参阅图2A所示，对电场E进行受力分析后，该电场E存在y方向的电场分量Ey，由于在FFS驱动模式的像素单元中，主要通过像素电极形成的Ex驱动显示分子按照预设方式进行旋转以呈现相应的画面，而电场Ey将导致该像素电极20的条状电极200末端的显示分子不能按照预设方式进行旋转，从而导致显示装置每一个像素单元呈现的画面中存在较为严重的黑色区域11，并且当显示装置的电压增大时，显示装置所呈现画面上的黑色区域11将增加，将大大影响画面的显示效果。

由此可见，现有技术中，显示装置呈现的画面中存在黑色区域，从而导致显示装置画面显示效果差的问题。

本发明实施例提供一种阵列基板及液晶显示装置，用以解决现有技术中显示装置存在显示效果差的问题。

本发明实施例提供的具体技术方案如下：

一种像素单元结构，所述像素单元包括：第一电极、第二电极和屏蔽电极；

所述第一电极为面状结构；

所述第一电极之上形成有第一绝缘层；

所述第二电极形成在第一绝缘层之上，并且所述第二电极包括多条条状电极，所述多条条状电极之间间隔设置；

在第二电极的多条条状电极的末端处设置有屏蔽电极。

一种像素单元的阵列结构，包括多条扫描线和数据线交叉限定的多个像素单元，所述像素单元为上述的像素单元。

一种液晶显示装置，包括如上所述的阵列结构，还包括彩膜基板，以及设置于阵列基板和彩膜基板之间的液晶层。

本发明实施例中，所述像素单元包括：第一电极、第二电极和屏蔽电极；所述第一电极为面状结构；所述第一电极之上形成有第一绝缘层；所述第二电极形成在第一绝缘层之上，并且所述第二电极包括多条条状电极，所述多条条状电极之间间隔设置；在第二电极的多条条状电极的末端处设置有屏蔽电极。采用上述技术方案，当像素单元存在电信号时，由于屏蔽电极的存在，将屏蔽第二电极的条状电极的末端所产生的Ey方向的电场，从而有效避免了黑色异常显示区域的出现，保证了像素单元所有显示区域对应的显示分子均能按照预设方式进行旋转，提高了画面显示效果。

附图说明

图1为现有技术中FFS显示模式的一个像素单元的发光模拟图；

图2A为现有技术中FFS驱动模式的一个像素单元的俯视结构图；

图2B为现有技术中FFS驱动模式的一个像素单元沿AA′的截面示意图；

图3本发明实施例一提供的像素单元的结构示意图；