[发明专利]互连层、其制作方法及半导体器件

权利要求书

1.一种互连层的制作方法，包括在衬底上形成具有通孔的介质层，并填充所述通孔形成金属填充部，以及在所述介质层和金属填充部上形成阻挡层的步骤，其特征在于，在形成所述阻挡层之前，还包括对所述金属填充部进行表面处理的步骤，对所述金属填充部进行表面处理的步骤包括：

对所述金属填充部进行Si掺杂处理，以在所述金属填充部的表面形成Si掺杂区；以及

对所述金属填充部表面的Si掺杂区进行离子轰击处理；

所述制作方法中，在对所述金属填充部进行表面处理的步骤之后，在形成所述阻挡层的步骤之前，还包括对所述介质层进行表面处理的步骤，对所述介质层进行表面处理的步骤包括：

对所述介质层进行Si掺杂处理，以在所述介质层的表面形成Si掺杂区；

对所述介质层表面的Si掺杂区进行离子轰击处理。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，采用Si等离子体对所述金属填充部进行Si掺杂处理，其中，形成所述Si等离子体的反应气体为有机硅烷，所述有机硅烷选自四氢化硅、三甲基硅烷和四甲基硅烷中的一种或多种。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，对所述金属填充部进行Si掺杂处理步骤中，溅射功率为100～2000w，有机硅烷的流量为50～1000sccm，腔内压力为0.1～10torr。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述离子轰击处理步骤中，离子轰击气体选自Ar、He或N₂中的任一种。

5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述离子轰击处理步骤中，溅射功率为100～2000w，离子轰击气体的流量为50～1000sccm，腔内压力为0.1～10torr。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，对所述金属填充部进行表面处理的步骤还包括：在所述离子轰击处理的步骤之后，对所述金属填充部的表面进行氮掺杂处理的步骤。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述氮掺杂处理采用NH₃、N₂和N₂H₄中的一种或多种作为反应气体。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述氮掺杂处理步骤中，溅射功率为100～2000w，反应气体的流量为50～1000sccm，腔内压力为0.1～10torr。

9.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法中，在对所述金属填充部进行表面处理的步骤之前，还包括采用NH₃对所述金属填充部进行表面预处理的步骤。

10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述表面预处理步骤中，溅射功率为100～1000w，NH₃的流量为500～1000sccm，腔内压力为0.1～10torr。

11.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，采用Si等离子体对所述介质层进行Si掺杂处理，形成所述Si等离子体的反应气体为有机硅烷，所述有机硅烷选自四氢化硅、三甲基硅烷和四甲基硅烷中的一种或多种。

12.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，在对所述介质层表面的Si掺杂区进行离子轰击的步骤中，所述离子轰击处理的工艺条件为：溅射功率为100～2000w，离子轰击气体的流量为1000sccm，腔内压力为0.1～10torr。

13.一种互连层，其特征在于，所述互连层是按照权利要求1至12中任一项所述的互连层的制作方法制作而成。

14.一种半导体器件，包括具有器件区的衬底，以及在器件区上设置的互连层，其特征在于，所述互连层为权利要求13所述的互连层。