[发明专利]存储器的形成方法

说明书

本发明提供一种存储器的形成方法，包括提供衬底；在所述衬底上形成浮栅材料层；图形化所述浮栅材料层及衬底，形成位于衬底上的浮栅以及位于浮栅之间的衬底中的开口；在所述开口内部形成隔离材料层；对所述浮栅顶部以及隔离材料层顶部进行第一化学机械研磨，以平坦化所述浮栅的上表面；去除浮栅之间的隔离材料层，位于所述衬底中的隔离材料层形成隔离结构；在所述浮栅侧壁、上表面以及隔离结构表面形成绝缘层。由于所述浮栅上表面平整度高，在浮栅上表面形成的绝缘层厚度均匀，使得绝缘层附近的局部电场强度与其他区域的电场强度接近，能够提高浮栅保持电荷的能力。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种存储器的形成方法。

背景技术

随着时代的发展，信息的存储越来越重要，非易挥发存储器是一种较为常用的信息存储器，它是靠电荷保存在浮栅上来存储0/1信息的。非易挥发存储器在无电维持时，也能很好的抗磁干扰，因此非易挥发存储器得到广泛应用。

隧道氧化层非易挥发存储器(Eprom Tannel Oxide,ETOX）是较为常用的一种非易挥发存储器，ETOX包括控制栅、浮栅、浮栅的栅氧层、控制栅浮栅间绝缘层和源区、漏区，通过对控制栅施加电压，源区的电子在隧道效应作用下到达浮栅，实现存储器的写操作，对控制栅施加相反电压，浮栅上的电子在隧道效应作用下离开浮栅，实现存储单元的擦操作。浮栅上的电荷能决定源漏极之间是否导通，而这种存储器源漏之间的导通状态决定了存储的信息是0或是1。控制栅与浮栅之间有绝缘层，它的作用是使控制栅和浮栅之间实现电绝缘，以保证浮栅存储的电荷具有持久性。目前采用较多的为ONO（氧化物—氮化硅—氧化物）复合结构。

随着半导体特征尺寸的缩小，ETOX中绝缘层的厚度不断减小，经常发生绝缘层附近的局部电场强度大于周围电场的强度，使得浮栅存储电荷的能力变差的现象，目前亟待一种存储器的形成方法，在不增大绝缘层厚度的条件下，降低存储器附近的局部电场强度，以提高浮栅存储电荷的能力。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种存储器的形成方法，能够在不增大绝缘层厚度的条件下，降低存储器附近的局部电场强度，以提高浮栅存储电荷的能力。

为解决上述问题，本发明提供一种存储器的形成方法，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成浮栅材料层；

图形化所述浮栅材料层及衬底，形成位于衬底上的浮栅以及位于浮栅之间的衬底中的开口；

在所述开口内部形成隔离材料层；

对所述浮栅顶部以及隔离材料层顶部进行第一化学机械研磨，以平坦化所述浮栅的上表面；

去除浮栅之间的部分隔离材料层，位于所述衬底中的隔离材料层形成隔离结构；

在所述浮栅侧壁、上表面以及隔离结构表面形成绝缘层。

可选的，在化学机械研磨的步骤中，抛光头的压力在0～3磅每平方英寸以内。

可选的，在第一化学机械研磨的步骤中，抛光头的转速在0～60转每分以内。

可选的，在第一化学机械研磨的步骤中，抛光溶液的流速在0～500毫升每分以内。

可选的，图形化所述浮栅材料层及衬底的步骤包括：

在浮栅材料层上形成硬掩模层；

图形化所述硬掩模层，使硬掩模层形成对应浮栅形状的硬掩模图形；以所述硬掩模图形为掩模，对硬掩模图形露出的浮栅材料层及衬底进行刻蚀，形成位于衬底上的浮栅以及位于浮栅之间的衬底中的开口。

可选的，在所述开口内部形成隔离材料层的步骤包括：在所述开口内部以及硬掩模层之间填充隔离材料，所述隔离材料覆盖所述硬掩模层，形成隔离材料层。