[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成栅极；

在所述栅极的侧壁上形成侧墙；

在所述栅极、侧墙以及衬底上形成沉积层，所述沉积层与所述衬底的材料相同；

在形成所述沉积层后，对所述栅极两侧的沉积层以及衬底进行掺杂。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成栅极的步骤包括：形成多晶硅栅极。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成侧墙的步骤包括：在所述栅极的侧壁上形成第一侧墙，在第一侧墙的侧壁上形成第二侧墙；形成沉积层、进行掺杂的步骤包括：在形成第二侧墙之前，在所述栅极、第一侧墙以及衬底上形成第一沉积层，所述第一沉积层与所述衬底的材料相同；

在形成所述第一沉积层后，对所述栅极两侧的第一沉积层以及衬底进行第一掺杂；以及，

在形成第二侧墙之后，在所述第一侧墙、第二侧墙以及衬底上形成第二沉积层，所述第二沉积层与所述衬底的材料相同；

在形成第二沉积层后，对所述栅极两侧的第二沉积层、第一沉积层以及衬底进行第二掺杂，以形成源区以及漏区。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一侧墙为二氧化硅或者氮化硅侧墙。

5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，在形成栅极的步骤之后，形成侧墙的步骤之前，还包括以下步骤：在所述衬底以及栅极上形成第三沉积层，所述第三沉积层与所述衬底的材料相同。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述衬底、第一沉积层、第二沉积层以及第三沉积层均采用硅作为材料。

7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一沉积层、第二沉积层以及第三沉积层的厚度不超过20埃。

8.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一沉积层、第二沉积层以及第三沉积层均采用原子层沉积的方法形成。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一沉积层、第二沉积层以及第三沉积层的材料为硅，原子层沉积的反应气体包括二氯二氢硅以及氢气。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，在原子层沉积的过程中，使沉积的气压在5～50托的范围内，沉积温度在400～800摄氏度的范围内；二氯二氢硅的流量在10～500标况毫升每分，氢气的流量在1～100标准升每分钟。

11.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一沉积层、第二沉积层以及第三沉积层的材料为硅，原子层沉积的反应气体包括乙硅烷。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，在原子层沉积的过程中，使沉积的气压在100～500托的范围内，沉积温度在400～600摄氏度的范围内；乙硅烷的流量在500～1500标准升每分钟。

13.如权利要求3所述的方法，其特征在于，进行第一掺杂的步骤包括：对所述栅极两侧的第一沉积层进行轻掺杂，或者，对所述栅极两侧的第一沉积层以及衬底进行轻掺杂。

14.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二侧墙为氮氧化物侧墙。

15.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底；

设于所述衬底上的栅极；

设于所述栅极的侧壁的侧墙；

设于所述栅极、侧墙以及衬底上的沉积层，所述沉积层与所述衬底的材料相同。

16.如权利要求15所述的半导体器件，其特征在于：

所述侧墙包括第一侧墙以及第二侧墙；

所述沉积层包括第一沉积层以及第二沉积层，其中：所述第一沉积层设于

所述衬底、栅极以及第一侧墙上；

所述第二侧墙设于所述第一沉积层上；

所述第二沉积层设于第一沉积层以及第二侧墙上。

17.如权利要求16所述的半导体器件，其特征在于，在所述栅极与所述第一侧墙之间还设有第三沉积层，所述第三沉积层位于所述衬底与第一沉积层之间，所述第三沉积层与所述衬底的材料相同。

18.如权利要求16或者17所述的半导体器件，其特征在于，所述衬底、第一沉积层、第二沉积层以及第三沉积层的材料为硅。

19.如权利要求18所述的半导体器件，其特征在于，所述第一沉积层、第二沉积层以及第三沉积层的厚度不超过20埃。