[发明专利]一种TSV电镀铜退火效果的检测方法有效
| 申请号: | 201310751695.2 | 申请日: | 2013-12-31 | 
| 公开(公告)号: | CN103698349A | 公开(公告)日: | 2014-04-02 | 
| 发明(设计)人: | 马丽;于仙仙;李艳艳;王溯 | 申请(专利权)人: | 上海新阳半导体材料股份有限公司 | 
| 主分类号: | G01N23/22 | 分类号: | G01N23/22 | 
| 代理公司: | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人: | 贾慧琴 | 
| 地址: | 201616 *** | 国省代码: | 上海;31 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 tsv 镀铜 退火 效果 检测 方法 | ||
1.一种TSV电镀铜退火效果的检测方法,其特征在于,该方法包含:
步骤1,对TSV芯片进行物理研磨;
步骤2,通过微腐蚀液抛光,将研磨好的TSV芯片在酸性的微腐蚀液介质中于抛光布上进行抛光腐蚀,抛光时间为0.5-10 min;所述的微腐蚀液是采用去氧化物的水溶液,按质量体积比计加入250-350g/L的三氧化二铝抛光粉制备而成的悬浮液;
步骤3,超声去抛光粉,以水为介质将腐蚀后的TSV芯片超声1-5min,去除TSV孔表面的抛光粉及其异物;
步骤4,将超声后的TSV芯片在扫描电镜下观察。
2.如权利要求1所述的TSV电镀铜退火效果的检测方法,其特征在于,所述的去氧化物的水溶液包含硫酸和双氧水用量各为1%-10%的水溶液,过硫酸钠和硫酸用量分别为40-100g/L和1%-10%的水溶液,或氨水和醋酸用量各为1%-10%的水溶液中的任意一种。
3.如权利要求1所述的TSV电镀铜退火效果的检测方法,其特征在于,所述的三氧化二铝抛光粉,其颗粒直径为0.3μm。
4.如权利要求1所述的TSV电镀铜退火效果的检测方法,其特征在于,步骤1所述的物理研磨是通过研磨工具和研磨机进行研磨。
5.如权利要求4所述的TSV电镀铜退火效果的检测方法,其特征在于,所述的研磨工具为不锈钢材质,包含中空的外圈(1),以及设置在外圈(1)内部与外圈(1)适配的内柱体(2);
所述的外圈(1)的一个端面设有由圆心向外周的同心轮齿(11),另一个端面为光滑面,外圈(1)的侧壁设有一个贯通的螺孔(12)及与其适配的螺丝;
所述的内柱体(2)的侧壁上设有一个与所述螺丝适配的卡槽(21),能够将内柱体(2)与外圈(1)固定。
6.如权利要求5所述的TSV电镀铜退火效果的检测方法,其特征在于,所述的外圈(1)为圆形或方形。
7.如权利要求6所述的TSV电镀铜退火效果的检测方法,其特征在于,所述的外圈(1)为圆形时,与其适配的内柱体(2)为圆柱,在该圆柱的一个端面上沿中线将其一侧的半圆面切削成与另一侧的半圆面成0-10°角的倾斜面。
8.如权利要求7所述的TSV电镀铜退火效果的检测方法,其特征在于,所述的内柱体(2)在研磨时,还包含以下步骤:
步骤1.1,将内柱体(2)加热,在内柱体(2)的一个端面上涂上热熔胶,将需要分析的TSV芯片黏在涂有热熔胶的位置;需要倾斜研磨时,将成角度的圆柱端面向上,并将热熔胶涂在没有倾斜角度的半圆面上,将TSV芯片有孔的位置紧靠两个成角度的半圆面之间的中线处;
步骤1.2,取下粘有TSV芯片的圆柱放在冷水中冷却,将内柱体(2)的卡槽(21)位置对准外圈(1)的螺丝,圆柱带有TSV芯片的一端与带有轮齿(11)的外圈(1)端面方向一致,并保持内柱体(2)没有倾斜角度的半圆面与外圈(1)轮齿(11)顶端在同一平面,通过螺丝使得外圈(1)和内柱体(2)固定;
步骤1.3,将固定后的研磨工具轮齿(11)端向下放在研磨机上,用外圈(1)保持研磨工具水平,对内柱体(2)进行研磨;研磨时分别使用1200目、2400目、4000目砂纸依次研磨;控制研磨转速在200-500 RPM。
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