[发明专利]铪钕镱铥四掺杂铌酸锂晶体及其制备方法无效
| 申请号: | 201310750416.0 | 申请日: | 2013-12-31 |
| 公开(公告)号: | CN103668458A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
| 发明(设计)人: | 代丽;焦珊珊;徐超;林家齐;李大勇;代旭;郝树伟;王喜明 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨理工大学 |
| 主分类号: | C30B29/30 | 分类号: | C30B29/30;C30B15/00;C30B33/04 |
| 代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人: | 侯静 |
| 地址: | 150080 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 铪钕镱铥四 掺杂 铌酸锂 晶体 及其 制备 方法 | ||
1.铪钕镱铥四掺杂铌酸锂晶体,其特征在于它由Nb2O5、LiCO3、HfO2、Tm2O3、Yb2O3和Nd2O3制成;其中所述LiCO3中的Li与Nb2O5中的Nb的摩尔比为0.946:1,Tm2O3的掺杂摩尔量占六种原料总摩尔量的0.05%,Yb2O3的掺杂摩尔量占六种原料总摩尔量的0.05%~2.5%,Nd2O3的掺杂摩尔量占六种原料总摩尔量的0.05%,HfO2的掺杂摩尔量占六种原料总摩尔量的0%~6%。
2.根据权利要求1所述的铪钕镱铥四掺杂铌酸锂晶体,其特征在于所述的Nb2O5、LiCO3、HfO2、Yb2O3、Nd2O3和Tm2O3的纯度均为99.99%。
3.根据权利要求1或2所述的铪钕镱铥四掺杂铌酸锂晶体,其特征在于所述Yb2O3的掺杂摩尔量占六种原料总摩尔量的1%。
4.根据权利要求3所述的铪钕镱铥四掺杂铌酸锂晶体,其特征在于所述HfO2的掺杂摩尔量占六种原料总摩尔量的1%。
5.根据权利要求4所述的铪钕镱铥四掺杂铌酸锂晶体,其特征在于所述HfO2的掺杂摩尔量占六种原料总摩尔量的4%。
6.制备如权利要求1所述的铪钕镱铥四掺杂铌酸锂晶体的方法,其特征在于它按以下步骤进行:
一、混合:称取六种原料,分别为Nb2O5、LiCO3、HfO2、Yb2O3、Nd2O3和Tm2O3,然后混合均匀,得到混合料;其中所述LiCO3中的Li与Nb2O5中的Nb的摩尔比为0.946:1,Tm2O3的掺杂摩尔量占六种原料总摩尔量的0.05%,Yb2O3的掺杂摩尔量占六种原料总摩尔量的0.05%~2.5%,Nd2O3的掺杂摩尔量占六种原料总摩尔量的0.05%,HfO2的掺杂摩尔量占六种原料总摩尔量的0%~6%;
二、采用提拉法生长晶体:将步骤一中所得混合料放入Pt坩锅中,然后在700~760℃下烧结2~4h,再升温至1140~1180℃继续烧结1~3h,随后冷却至室温,然后采用提拉法进行晶体生长,经过引晶、缩颈、放肩、收肩、等径生长、拉脱和退火,得到多畴晶体;其中所述提拉法的提拉速度为0.5~1.5mm/h,轴向温度梯度为35~45℃/cm,旋转速度为13~18r/min;
三、极化:将步骤二中所得多畴晶体置于温度为1150~1200℃,电流密度为5mA/cm2的条件下极化27~33min,得到极化后的晶体;
四、切割、抛光:将步骤三中所得极化后的晶体进行切割,然后对表面进行光学质量级抛光,得到Hf:Nd:Yb:Tm:LiNbO3晶体,即完成铪钕镱铥四掺杂铌酸锂晶体的制备。
7.根据权利要求6所述的铪钕镱铥四掺杂铌酸锂晶体的制备方法,其特征在于步骤一中Yb2O3的掺杂摩尔量占六种原料总摩尔量的1.5%。
8.根据权利要求6或7所述的铪钕镱铥四掺杂铌酸锂晶体的制备方法,其特征在于步骤二中在740℃下烧结3h,再升温至1160℃继续烧结2h。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨理工大学,未经哈尔滨理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310750416.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





