[发明专利]一种复合振膜在审
| 申请号: | 201310749905.4 | 申请日: | 2013-12-31 |
| 公开(公告)号: | CN103702266A | 公开(公告)日: | 2014-04-02 |
| 发明(设计)人: | 林晴岚;杨宸贸;王文弘 | 申请(专利权)人: | 美特科技(苏州)有限公司 |
| 主分类号: | H04R7/12 | 分类号: | H04R7/12 |
| 代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 孙仿卫;陆彩霞 |
| 地址: | 215131 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 复合 | ||
技术领域
本发明涉及扬声器领域,特别是一种复合振膜。
背景技术
随着数字媒体的普及与进步,数字音乐不断朝向高传真(Hi-Fi)发展,也带动各种专业扬声器的研发风潮。为了追求更优越的音频输出特性,扬声器的振膜为其中最关键的零件之一。
在相同尺寸、外型的前提下,振膜必须要有足够的硬度与韧性才能承受剧烈的反复运动,避免非弹性变形甚至破裂的问题。同时,振膜还必须要有较低的密度以便轻快地运动,如此才有助于能量发散而提供高清晰的音质。
因此,如何提供一种兼具硬度、韧性与低密度的振膜,实系本领域人士所应思量的。
发明内容
本发明的目的是提供一种具有高硬度、高韧性、低重量的复合振膜。
为达到上述目的,本发明采用的技术方案是:一种复合振膜,包括基材,其特征在于:所述基材表面至少设置有一层石墨炔层。
优选地,所述基材包括中心部位的中心部、位于所述中心部四周的边缘部。
进一步优选地,所述石墨炔层设置在所述中心部上表面。
进一步优选地,所述石墨炔层设置在所述中心部上表面和下表面。
进一步优选地,所述石墨炔层设置在所述边缘部。
优选地,所述石墨炔层为物理气相沉积、化学气相沉积、涂布、转印、黏贴或熔合制程其中的一种方式设置。
优选地,所述基材的材料为金属、高分子材料、布、丝、麻、纸及复合材料其中的一种。
优选地,所述中心部和边缘部的断面均为弧形。
由于上述技术方案运用,本发明与现有技术相比具有下列优点:
由于本发明在基材上设置了石墨炔层,石墨炔是一种质轻且刚性高的二维结构材料,因此所制得的复合振膜可以兼具硬度、韧性与低密度等特性,实现耐用及可提供高清晰音质等实用性目的。
附图说明
附图1为实施例一的截面示意图;
附图2为实施例二的截面示意图;
附图3为实施例三的截面示意图;
附图4为实施例四的截面示意图。
以上附图中:10、复合振膜;20、基材;21、中心部;22、边缘部;30、石墨炔层;40、复合振膜;50、基材;51、中心部;60、石墨炔层;70、复合振膜;80、基材;82、边缘部;90、石墨炔层;100、复合振膜;110、基材;111、中心部;112、边缘部;120石墨炔层。
具体实施方式
下面结合附图所示的实施例对本发明作进一步描述:
实施例一:参见附图1所示,一种复合振膜10包括基材20和石墨炔层30。
基材20具有中心部21及设于中心部21外周的边缘部22,其中,基材20所使用的材质可选自金属、高分子材料、布、丝、麻、纸及复合材料其中之一,中心部21及边缘部22皆具有弧形断面。
该石墨炔层30系设于基材20中心部21的上表面,石墨炔层30的材质为石墨炔,石墨炔系同时以sp、sp2、sp3三种杂化态所形成的单原子层结构,即石墨炔是一种二维平面网络状的全碳分子结构,其中的碳-碳三键(即sp杂化态)是构成石墨炔结构中的重要连接单元,由于它不会受顺反异构的变化影响,因此可以一直保持线性的状态;其中,所述石墨炔可以具有下列式一至式四其中一种结构式:
石墨炔层30可以预先成形后再以涂布、转印、黏贴或熔合制程而设于基材20表面;或者,也可以利用物理气相沉积或化学气相沉积等方法,将石墨炔层30直接形成于基材20表面。本实施例中,使用金属铜为基材,利用六炔基苯为原料,通过金属铜的催化而发生偶联反应,进而在铜基材上形成具有如式三所示结构式的石墨炔层。
实施例二:参见附图2所示,复合振膜40包括基材50和两层石墨炔层60,两层石墨炔层60分别设于基材50中心部51的上表面及下表面。
实施例三:参见附图3所示,复合振膜70包括基材80和石墨炔层90,石墨炔层90设于基材80的边缘部82。
实施例四:参见附图4所示,复合振膜100包括基材110和石墨炔层120,石墨炔层120同时覆盖于基材110中心部111及边缘部112的上表面。
由于石墨炔是一种质轻且刚性高的二维结构材料,因此基于前述及其它类似设计,本发明之复合振膜可以兼具硬度、韧性与低密度等特性,从而实现提供耐用及可提供高清晰音质等实用性目的。
上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点,其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施,并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰,都应涵盖在本发明的保护范围之内。
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